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X3C09P2-03S低剖面，高性能的3dB混合耦合器

發(fā)布時(shí)間：2020-04-16 10:50:02 瀏覽：1636

X3C09P2-03S是一個(gè)低剖面，高性能的3dB混合耦合器在一個(gè)新的易于使用，制造友好的表面安裝包。它專為AMPS、GSM、WCDMA和LTE波段應(yīng)用而設(shè)計(jì)。X3C09P2-03S專為平衡功率和低噪聲放大器、信號(hào)分配和其他需要低插入損耗和緊密振幅和相位平衡的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它可用于高達(dá)187瓦的大功率應(yīng)用。零件經(jīng)過嚴(yán)格的鑒定測(cè)試，并使用熱膨脹系數(shù)（CTE）與常見基板（如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺）兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的浸錫處理。

X3C09P2-03S低剖面，高性能的3dB混合耦合器

X3C09P2-03S特征：

?800-1000兆赫

?AMPS、GSM、WCDMA和LTE

?高功率

?非常低的損耗

?緊密振幅平衡

?高隔離度

?生產(chǎn)友好型

?磁帶和卷盤

?無鉛

X3C09P2-03S重要參數(shù)

頻率（GHZ）：0.8 - 1.0

功率（W）：187

回波損耗（dB）：24.9

插入損耗（dB）：0.14

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