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與硅相比較，Cypress 氮化鎵（GaN ）晶體管具備本質(zhì)的優(yōu)勢(shì)。尤其是與硅MOSFET相比較，高臨界電場(chǎng)促使GaN -HEMT具備優(yōu)質(zhì)的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，特別適合于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域。隨后，Cypress 氮化鎵晶體管可以在降低過(guò)載時(shí)間的情況下運(yùn)行，以提高工作效率并完成被動(dòng)冷卻。在高開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行可以減少無(wú)源器件的容積，從而提升GaN  HEMT的安全可靠性和總功率密度。

Cypress GaN 功率晶體管最重要的特點(diǎn)是其反向恢復(fù)性能。由于英飛凌的Cool GaN ?晶體管沒(méi)有一些光電流和體二極管，并且它們無(wú)法顯示反向恢復(fù)。因此，可以采用圖騰極PFC等硬開(kāi)關(guān)拓?fù)鋪?lái)完成更高的效率，例如在數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源中，從而節(jié)約能源并降低經(jīng)營(yíng)成本。

英飛凌的Cool GaN ?是高效率的氮化鎵晶體管技術(shù)應(yīng)用，可在高至600V的電壓范圍內(nèi)實(shí)行功率轉(zhuǎn)換。憑著在半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)的豐富經(jīng)驗(yàn)，英飛凌的GaN 技術(shù)應(yīng)用通過(guò)端到端大規(guī)模生產(chǎn)使e模式概念成熟。突破性的產(chǎn)品質(zhì)量保障了最高標(biāo)準(zhǔn)化，并提供了行業(yè)市場(chǎng)上所有的GaN HEMT中最可靠、性能最好的解決方案。

Cypress 采用Cool GaN ?開(kāi)關(guān)電源電路具備更高的能源效率和功率密度，這是最先進(jìn)的硅器件無(wú)法完成的。在200-250khz以上的高頻率運(yùn)行中，開(kāi)關(guān)速度是影響能源傳輸模式的關(guān)鍵。英飛凌Cool GaN ?超快的開(kāi)關(guān)速度可以完成極短的過(guò)載時(shí)間。其預(yù)估使用期限超出15年，設(shè)備故障率小于1，客戶值得信賴其安全可靠性和產(chǎn)品質(zhì)量。

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目前，立維創(chuàng)展擁有Cypress品牌，現(xiàn)貨庫(kù)存

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