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QORVO分立晶體管GAAS PHEMT

發布時間：2022-02-08 17:14:25 瀏覽：1696

Qorvo采用我們最先進的超低噪聲0.15μm pHEMT和0.25μm E-pHEMT工藝技術提供多種多樣的分立晶體管組件。QORVO分立晶體管GAAS PHEMT接受用戶在設計低噪聲放大器(LNA)電源電路時完全控制。各類分立FET提供低至0.15dB的NF（最小值），最高可采用22GHz。還提供匹配晶體管，特別適合平衡LNA設計。

主要特點

超低噪聲系數——低至0.15dBNF（最小值）

提供裸片或封裝形式

應用領域

通信基站

國防通訊

點對點(PtP)無線電

深圳市立維創展科技是QORVO的經銷商，主要提供QORVO功率放大器， IC和裸芯片，立維創展擁有穩定的供應渠道，價格優勢，并大量備有現貨庫存，歡迎咨詢。

詳情了解Qorvo請點擊：http : //m.nfda.cn/public/brand/4.html

波導晶體探測器.JPG

Part #	Frequency Min MHz	Frequency Max MHz	Type	Gain dB	OP1dB dBm	Psat dBm	NF dB	PAE %	Vd V	Idq mA
QPD2018D	DC	20,000		14	22	22	1	55	8	29
QPD2025D	DC	20,000		14	24	24	0.9	58	8	40
QPD2040D	DC	20,000		13	26	26	1.1	55	8	65
QPD2060D	DC	20,000		12	28	28	1.4	55	8	97
QPD2080D	DC	20,000		11.5	29.5	29.5	1	56	8	130
QPD2120D	DC	20,000		11	31	31	1	57	8	194
QPD2160D	DC	20,000		10.4	32.5	32.5	1	63	8	258
TQP3M6005	1,700	2,000		17.9	21.6		0.36		4.5	50

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