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UMS毫米波內(nèi)部匹配GAN功率晶體管

發(fā)布時間：2022-04-13 16:54:30 瀏覽：1023

GaN材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表，具備寬禁帶、高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高峰值電子漂移速度等優(yōu)質(zhì)性能。因此，GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求，GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達(dá)系統(tǒng)中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業(yè)服務(wù)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)療設(shè)備和國防軍事用途的電路和系統(tǒng)中的各種應(yīng)用。它們都通過寬帶gap GaN半導(dǎo)體材料的作用，在小封裝中產(chǎn)生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管

UMS毫米波提供基于ASIC或目錄產(chǎn)品的全方面報價，主要基于公司內(nèi)部的III-V技術(shù)，并提供全方面的合同服務(wù)，使客戶能夠直接建立自己的產(chǎn)品解決方案。UMS毫米波的所有目錄產(chǎn)品從DC到100GHz都基于GaAs、Gan和SiGe技術(shù)，包括高達(dá)200W的功率放大器、混合信號功能、超低噪聲放大器和完整的收發(fā)器系統(tǒng)。UMS產(chǎn)品以模具的形式提供，但通常以多芯片模塊的形式封裝。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司是UMS的代理商，專業(yè)為無線通信工程、航天基站、國防、汽車、ism等行業(yè)提供高可靠性射頻微波毫米波器件及集成電路。UMS產(chǎn)品采用QFN和模具包裝，交貨期短，價格優(yōu)勢獨特。我們?yōu)橐恍┬吞柼峁└哔|(zhì)量的UMS產(chǎn)品庫存。歡迎咨詢。

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UMS低噪聲放大器.png

Reference	RF Bandwidth (GHz)		Small signal Gain (dB)	Power (W)	Associated Gain (dB)	PAE (%)	DC Bias	Case
Reference	min	max	Small signal Gain (dB)	Power (W)	Associated Gain (dB)	PAE (%)	DC Bias	Case
CHZ180AaSEB	1.2	1.4	20	200	>14	52	VDS 45V @ ID_Q 1.3A	Ceramic Metal Flange
CHZ015AaQEG	1.2	1.4	17.2	15	> 14	> 55	VDS 45V@ID_Q 100mA	QFN Plastic package
CHZ8012-QJA	2.6	3.4	16.5	12	11	55	VDS 30V @ ID_Q 180mA	QFN Plastic package
CHZ9012-QFA	2.7	3.4	16	65	12	55	VDS 30V@ID_Q 800mA	QFN Plastic package

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