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CREE射頻功率 GaN HEMT

發布時間：2022-07-11 17:01:02 瀏覽：1132

CREE射頻功率CGH40006是前所未有的；氮化鎵(GaN)高電子器件遷移率晶體管(HEMT)。CREE射頻功率CGH40006；從28V電壓軌運轉；提供通用型；主要用于各種各樣射頻和微波應用的寬帶網絡解決方案。CREE射頻功率GaNHEMT提供高效率；高增益和寬帶網絡寬功能；使CGH40006作為線性和壓縮功率放大電路的理想化選擇。CREE射頻功率GaNHEMT選用焊接藥Pill封裝形式和3-mmx3-mm；表面貼裝;雙扁平無導線封裝形式。

特征

高達6GHz的操控；

2.0GHz時13dB小信號增益值；

6.0GHz時11dB小信號增益值；

PIN=32dBm時典型值為8W；

28伏操控；

應用

2路個體調頻收音機；

寬帶放大器；

蜂窩基礎設施建設；

測試設備；

ClassA;AB;主要用于OFDM的功率放大器；W-CDMA；EDGE;CDMA波型；

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，CREE產品包含：發光二極管芯片，照明發光二極管，背光發光二極管，功率開關器件，無線電頻率設備和無線電設備的發光二極管。CREE憑借優勢的供應渠道，長期備有庫存，以滿足中國市場的需求，歡迎咨詢。

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產品	最小頻率	最大頻率	峰值輸出功率	獲得	效率	工作電壓	形式	包裝類型
CGH40006S-AMP1	DC	6GHz	6W	>11 dB	NA	28 V	Evaluation Board	Surface Mount
CGH40006P-AMP	2GHz	6GHz	6W	>11 dB	NA	28 V	Evaluation Board	Pill
CGH40006S	DC	6GHz	6W	>11 dB	65%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Plastic
CGH40006P	DC	6GHz	6W	>11 dB	65%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Pill

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