?CMPA1D1E025 Ku波段功率放大器CREE
發(fā)布時間:2024-02-26 17:16:48 瀏覽:970
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC);選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較,GaN-on-SiC具有更加優(yōu)異的性能;砷化鎵或硅基氮化鎵;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數(shù)。CMPA1D1E025 選用 10 導線;25 mm x 9.9 mm;金屬/陶瓷法蘭盤封裝能夠?qū)崿F(xiàn)最理想的電氣設備和熱穩(wěn)定性。
特征
24 dB 小信號增益值
40 W 典型脈沖信號 PSAT
額定電壓高至 40 V
OQPSK 下 20 W 線性功率
A/B類高增益;高效率 50 Ω MMIC Ku 頻率段高功率放大器
應用領域
軍工用和商用 Ku 波段雷達
產(chǎn)品規(guī)格
描述:25瓦;13.75 至 14.5 GHz;40V;Ku 波段 GaN MMIC 功率放大器
最低頻率(MHz):13500
最高頻率(MHz):14500
最高值輸出功率(W):25
增益值(dB):26.0
工作效率(%):16
額定電壓(V):40
類型:封裝的MMIC
封裝類別:法蘭盤
技術:GaN-on-SiC
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