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UMS微波CHK5010-99F功率晶體管GaN HEMT

發(fā)布時(shí)間：2024-04-12 08:50:46 瀏覽：578

UMS微波CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應(yīng)用提供多功能寬帶解決方案。該產(chǎn)品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術(shù)制造，確保了優(yōu)異的性能和可靠性。

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晶體管以裸晶片形式提供，需要外部匹配電路才能充分發(fā)揮其潛力。然而，正是這種設(shè)計(jì)特點(diǎn)賦予了CHK5010-99F豐富的功能和廣泛的應(yīng)用潛力。

主要特點(diǎn)包括其出色的寬帶能力，支持高達(dá)12 GHz的脈沖和連續(xù)波操作。基于GaN技術(shù)，該設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)高輸出和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時(shí)實(shí)現(xiàn)最佳性能。此外，該芯片具有0.90x0.80x0.1mm的緊湊尺寸，即使在受限的空間中也可以輕松集成。

除了其卓越的性能，CHK5010-99F還符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006標(biāo)準(zhǔn)，確保環(huán)保和安全。這讓用戶在選擇和使用產(chǎn)品時(shí)安心，而不必?fù)?dān)心對(duì)環(huán)境的不利影響。

總之，CHK5010-99F是一款值得信賴的高性能GaN晶體管，具有廣泛的應(yīng)用和出色的功能。其令人印象深刻的性能和符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)使其成為射頻功率應(yīng)用的可靠選擇，為該領(lǐng)域開辟了新的可能性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司授權(quán)經(jīng)銷UMS微波，針對(duì)部分型號(hào)的UMS產(chǎn)品提供優(yōu)質(zhì)的現(xiàn)貨產(chǎn)品庫(kù)存，歡迎咨詢。

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