手机推荐排行榜,好看的言情小说,盗墓笔记全集

<li id="gq4uu"></li>

CMPA5585025F射頻放大器CREE

發布時間：2024-06-07 08:41:20 瀏覽：1046

　　CREE的CMPA5585025F是一款基于氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。相比硅或砷化鎵，GaN具有更高的性能，包括更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的導熱性。與Si和GaAs晶體管相比，GaN HEMT提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該MMIC采用10引線金屬/陶瓷法蘭封裝，具有最佳的電氣和熱性能。

CMPA5585025F射頻放大器CREE

　　特性：

　　25db小信號增益

　　35w典型PSAT

　　工作高達28 V

　　高擊穿電壓

　　高溫操作

　　尺寸1.00 x 0.385英寸

　　該射頻放大器適用于點對點無線電、通信以及衛星通信上行等應用。

Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T?=25G）：

Parameter	5.8 GHz	6.4 GHz	7.2 GHz	7.9 GHz	8.4 GHz	Units
Small Signal Gain	29.5	24.0	24.0	24.0	22.0	dB
Output Power1	15	23	20	19	19	W
Power Gain1	21.7	19.5	17.2	18.5	18.6	dB
Power Added Efficiency	30	25	20.5	19	19.5	%

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: CHP4010-99F X波段數字移相器UMS微波

<li id="ueowo"></li>

成人在线精品-成人在线精品视频-成人在线免费-成人在线免费播放-成人在线免费观看视频