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使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯(lián)晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

發(fā)布時間:2018-09-06 15:19:40     瀏覽:2004

弗吉尼亞理工大學,弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini,Sanjay Raman,Amin K. Ezzeddine,Ho C Huang:使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯(lián)晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT具有高輸出功率密度和寬帶寬下的高效率。但是GaN HEMT的線性度通常比GaAs器件的線性度差。本文提出了一種簡單的方法來改善GaN HEMT的線性度。所提出的方法是將器件分成與獨立控制的柵極偏置電壓并聯(lián)的多個子單元,然后對子單元輸出進行功率組合。


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