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QPD0030 GaN射頻功率晶體管Qorvo現貨

發布時間：2024-07-24 08:46:28 瀏覽：925

　　QPD0030是Qorvo公司生產的一款高性能GaN射頻功率晶體管，它采用了SiC HEMT(碳化硅高電子遷移率晶體管)技術。這款晶體管在48V電源軌上工作，頻率范圍從直流(DC)至5GHz，輸出功率在P3dB點達到45W，非常適合用于基站、雷達和通信系統等應用。

QPD0030 GaN射頻功率晶體管Qorvo現貨

　　QPD0030的主要特點包括：

　　- 頻率范圍：DC至5GHz

　　- 輸出功率(P3dB)：在2.2GHz頻率下，輸出功率可達49W。

　　- 線性增益：在2.2GHz頻率下，典型增益為22.3dB。

　　- 典型PAE3dB：在2.2GHz頻率下，效率高達71.5%。

　　- 工作電壓：48V。

　　- 低熱阻封裝：在高功率工作時有效散熱，保持器件的穩定性和壽命。

　　- 支持連續波(CW)和脈沖工作模式

　　QPD0030可以應用于Doherty架構中，特別適合作為小型蜂窩、微蜂窩和有源天線系統的基站功率放大器的最后級，也可以用作微蜂窩基站功率放大器的驅動器。該器件采用了行業標準的4x3mm表面貼裝QFN封裝，便于集成到現有的射頻系統設計中。

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