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L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

發布時間：2018-11-05 15:33:48 瀏覽：1819

描述

AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙系列GaAs HIFET的一部分。HiFET是高壓、高功率、高線性和寬帶應用的部分匹配專利設備配置。該器件的總器件外圍為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達3GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲或直線的引線和凸緣安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這個HiFET是符合RoHS標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM010MH4-BI-R	1周	50

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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2.0GHz
高功率：P1dB＝31 dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝46dBm @ 2.0GHz

用于有效散熱的陶瓷封裝

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信

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