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S波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM030MH4-BI-R

發(fā)布時間：2018-11-07 11:32:45 瀏覽：1769

描述

AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙系列GaAs HIFET的一部分。HIFET是部分匹配的專利設備配置的高電壓，高功率，高線性度和寬帶應用。該器件的總器件外圍為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達3GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲或直線的引線和凸緣安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這個HiFET是符合RoHS標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	511AM030MH4-BI-R RLB	1周	50

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特征
28伏
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝35dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝50 dBm @ 2.0GHz

用于有效散熱的陶瓷封裝

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環(huán)路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信

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