產(chǎn)品詳情介紹
X3C19F1-03S是一個低姿態(tài)，高性能的3dB混合耦合器在一個新的易于使用，制造友好的表面安裝封裝。它是為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段應用而設計的。X3C19F1-03S是專為平衡功率和低噪聲放大器，加上信號分配和其他需要低插入損耗和嚴格的振幅和相位平衡的應用而設計的。它可以用于高達25瓦的高功率應用。
零件已經(jīng)過嚴格的鑒定測試，它們是使用熱膨脹系數(shù)（CTE）的材料制造的，這些材料與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等常見基材兼容。生產(chǎn)6個符合RoHS標準的浸錫飾面
X3C19F1-03S特征：
?1700-2300兆赫
?放大器、GSM、WCDMA和LTE
?高功率
?非常低的損耗
?緊密振幅平衡
?高隔離度
?生產(chǎn)友好型
?磁帶和卷軸
?無鉛