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使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

發布時間：2018-05-04 13:53:07 瀏覽：8180

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏置控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT具有較高的輸出功率密度和較寬的帶寬效率。但是，GaN HEMT的線性典型地比GaAs器件的線性更差。本文提出了一種簡單的方法來提高GaN HEMT的線性度。所提出的方法是將器件分成與獨立控制的柵極偏置電壓并聯的多個子單元，然后將功率合并為子單元輸出。原型放大器..

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