KR 2413是一個400Hz帶通濾波器。通常適用于PCB封裝,其他通帶頻率均可用。
SemiGen的電感線圈通常是在石英基板上采用薄膜工藝制造的。高精密光刻技術和非化學蝕刻技術提供整潔的邊緣,以保障電磁線圈之間的均勻度。
NEL Frequency Controls的AN-x3A低G靈敏度的超低相位噪聲特別適合在具有震動或加速度的條件下需要具備超低相位噪聲的壓控晶體振蕩器(VCXO)的應用。
Qorvo的NBB-300級聯寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案,能夠滿足通用型射頻和微波放大器使用需求。
AMCOM的AM011714XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器,AM011714XD-P3 LO驅動電平范圍包括+14dBm至+20dBm。
CHA5350-99F是一種四級單片MPA,通常是在1dB增益值壓縮下具備26.5dBm的輸出功率,與34dBm的高IP3輸出相關。
CREE通過發布碳化硅(SiC)MOSFET的E系列產品線,增加了CREE在碳化硅行業中的領先地位;汽車符合標準;具備PPAP性能和耐潮濕MOSFET。
ATM Microwave生產制造高質量的高增益喇叭天線,具備線性電極化、質量輕和抗腐蝕性。
Mi-Wave的840系列電壓控制電源具備18至110Ghz的頻率。射頻寬帶壓控振蕩器主要用作調配發射器或本地振蕩器。常見的應用包括雷達探測、頻偏源和電力網絡。
CERNEX的寬帶臺式放大器通常用于各種通用型技術應用,如實驗測試機械設備、儀器和其他應用。使用穩固的帶狀線系統結構,相結合所選擇的GAsFET、PHEMT和MIMIC,實現安全可靠的運行。
Qorvo的AG302-63G是款通用型緩沖功率放大器,選用降低成本表面貼裝技術封裝,提供高動態范圍。在900 MHz時,AG302-63G通常提供15.5 dB增益值、+26 dBm OIP3和+13.5 dBm P1dB。
AMCOM的AM001005XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器,AM011001XD-P3的LO驅動電平范圍包括+7dBm至+13dBm。
CHA2090-99F是款三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。CHA2090-99F使用標準的0.25μm柵極尺寸pHEMT工藝技術,根據基材上的孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術。
CREE研發了第三代650V分立碳化硅,增加了碳化硅(SiC)技術的領先地位;實現更小;更簡易;以及在更大范圍電力系統中實現精準的電力轉換。
PS2-68/NF帶狀線2路電源分配器具備優異的規格參數,提供網絡光纖頻率范圍、高隔離、低插入損耗、低VSWR、低頻率和高功率解決方案。
3814-15微型連續可變衰減器具備帶緊固螺栓的非平移1/4“孔徑軸。在短短20圈中實現全面衰減。
DHM040BB選用零偏置肖特基二極管用作檢波器,具有結構緊湊、靈敏度高、反應速度快、諧振頻率好、使用頻段寬等優異性能
Qorvo的TAT7472A1F專門為有線數字電視應用需求設計的75Ω射頻放大器,TAT7472A1F頻率范圍高達1218 MHz。
AMCOM的AM010505XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器,AM010505XD-P3的LO驅動電平范圍包括+7dBm至+13dBm。
CHA4253-FAB是個四級單片GaAs中功率放大器電路,在1dB壓縮點下提供23.5dBm的輸出功率。CHA4253-FAB致力于廣泛應用、商業領域、軍事和商業服務通信系統需求設計。
CMPA0060002D是一種帶有氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具有更加優異的性能,包含更高的擊穿場強、更高的飽和電子漂移速度與更高的導熱系數。
A2CP11049射頻放大器是一款基于Teledyne防務電子制造高性能放大器,具備高至18.5 dB的增益值,低噪聲系數為4dB,頻率范圍從6 GHz到11 GHz,采用標準Tray封裝。
當軟件需要散熱需求時,Ironwood的BGA插座應用沖壓彈簧管腳(SBT)接觸技術。SBT BGA插座直接安裝在與SG或GT BGA插座一致的占用面積上。
PCI Express 6.0的Xgig 6P4協議訓練器以 64 GT/s的速度形成 PCIe 6.0 數據流和響應,適用于數據測試與分析。
Qorvo的TAT7467E1F是款75Ω、充分集成化單模差分射頻放大器,主要用于數字電視頻段的中等功率技術應用。
AMCOM的AM003509XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器,AM003509XD-P3的LO驅動電平范圍在+10dBm至+16dBm。
CHA2069-QDG是UMS的一款三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。典型應用范圍從電信網絡(點對點、點對多點、VSAT)到ISM和軍工領域。
PTRA084808NF-V1是款550瓦LDMOS FET,適用于734至821 MHz頻段的多標準蜂窩功率放大器技術應用。
PULSAR衰減器AAT-11-479/1S的頻率范圍為0.25-0.5 GHz, PULSAR已獲得ISO-9001認證和ITAR注冊。
ADRF5046是種選用硅工藝制作的反射式單極四擲(SP4T)開關。頻率范圍為100 MHz至44 GHz,插入損耗低于3.0 dB,隔離度高于31 dB。ADRF5046具備27dBm的射頻(RF)輸入功率數據處理能力,主要用于RFC管腳的直通路徑和熱切換。