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CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。

它設計用于從軍事到商業通信系統的廣泛應用。

該電路采用pHEMT工藝制造，柵極長度為0.15μm，通過襯底的通孔，空氣橋和電子束柵極光刻技術制造。

它以芯片形式提供。