產(chǎn)品詳情介紹
Cree公司的CMPA2560025F是一種基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與Si和GaAs晶體管相比，GaN-hemt還具有更高的功率密度和更寬的帶寬。這種MMIC包含一個(gè)兩級(jí)反應(yīng)匹配放大器，使非常寬的帶寬可以在一個(gè)小的占地面積的擰緊封裝，具有銅鎢散熱器。
特征
?24 dB小信號(hào)增益
?25 W典型PSAT
?工作電壓高達(dá)28 V
?高擊穿電壓
?高溫運(yùn)行
應(yīng)用
?超寬帶放大器
?光纖驅(qū)動(dòng)器
?測(cè)試儀器
?EMC放大器