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美國北卡羅來納州格林斯巴勒市 – 2018 年 6 月 12 日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出針對下一代有源電子掃描陣列 (AESA) 雷達(dá)設(shè)計的高性能 X 頻段前端模塊 (FEM)。這些符合出口標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵 (GaN) 產(chǎn)品也符合任務(wù)關(guān)鍵型操作所必需的高 RF 功率生存性要求。

預(yù)計到 2022 年，適合雷達(dá)應(yīng)用的 RF 前端組件的需求量將超過 10 億美元，未來五年的復(fù)合年增長率為 9%。由于 GaN 普及率明顯超過其他技術(shù)選項，因此預(yù)計未來五年，國防應(yīng)用的 RF GaN 器件市場（如雷達(dá)、電子戰(zhàn)和通信）的復(fù)合年增長率將達(dá)到 24%。1

Qorvo 的新型 FEM（QPM2637 和 QPM1002）采用公司的創(chuàng)新 GaN 技術(shù)構(gòu)建，可實現(xiàn)更高的效率、可靠性、功率和生存性，同時可縮減尺寸、重量和成本。

GaN FEM 在緊湊的單封裝中集成了四種功能，包括 RF 開關(guān)、功率放大器、低噪聲放大器和限幅器。典型的砷化鎵 (GaAs) 低噪聲放大器在不到100mW 的輸入功率條件下都會受損，與之相比，GaN FEM 的接收端可承受最高 4W 的輸入功率，且不會造成永久損壞。

Qorvo 高性能解決方案總經(jīng)理 Roger Hall 表示：“利用 Qorvo 經(jīng)過現(xiàn)場驗證的 GaN 技術(shù)，客戶可解決許多 AESA 雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計相關(guān)挑戰(zhàn)，包括提高功率輸出和可靠性。新推出的 GaN 模塊符合出口要求，提升了我們交付最高級別集成產(chǎn)品（四合一產(chǎn)品）的能力，有助于客戶針對任務(wù)關(guān)鍵性雷達(dá)系統(tǒng)選擇尺寸最小但性能最高的 FEM。”

QPM2637/QPM1002性能摘要

四合一封裝產(chǎn)品集尺寸、重量、功率和成本優(yōu)勢與高 RF 生存性于一體