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HMC7912LP5E/HMC7912LP5ETR軍用雷達(dá)上變頻器 ADI現(xiàn)貨

發(fā)布時間：2018-07-04 09:24:31 瀏覽：1943

HMC7912LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的低應(yīng)力注射成型塑料SMT封裝。該器件提供14 dB的小信號轉(zhuǎn)換增益和18 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驅(qū)動放大器驅(qū)動LO的I/Q混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入，需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。 I/Q混頻器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)則降低了干擾邊帶濾波要求。立維創(chuàng)展HMC7912LP5E為混合型單邊帶上變頻器的小型替代器件，它無需線焊，可以使用表貼制造技術(shù)。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC7912LP5E，HMC7912LP5ETR	GaAs MMIC I/Q上變頻器21 GHz至24 GHz	現(xiàn)貨	102

HMC7912LP5E應(yīng)用

點(diǎn)對點(diǎn)和點(diǎn)對多點(diǎn)無線電
軍用雷達(dá)、EW和ELINT
衛(wèi)星通信

傳感器

HMC7912LP5E優(yōu)勢和特點(diǎn)

轉(zhuǎn)換增益：15 dB（典型值）
邊帶抑制：22 dBc（典型值）
針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：4 dBm（典型值）
輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(OIP3)：33 dBm（典型值）
RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：5 dBm（典型值）
中頻(IF)輸入端2倍LO泄漏：-35 dBm（典型值）
RF回波損耗：15 dB（典型值）
LO回波損耗：15 dB（典型值）
32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝

HMC7912LP5E結(jié)構(gòu)圖

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