Teledyne E2V高速ADC芯片EV10AS150B
發(fā)布時(shí)間：2022-02-15 17:11:54 瀏覽：1571
Teledyne E2V高速ADC芯片EV10AS150B結(jié)合了個(gè)10位2.6Gsps全雙極性模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片，驅(qū)動(dòng)一個(gè)具備可選擇解復(fù)用比（1:2）或（1:4）的全雙極性DMUX芯片。ADC的5GHz全功率輸入帶寬準(zhǔn)許在高中頻范圍（L_波段或S_波段）直接數(shù)字化高至1GHz的寬帶信號(hào)。
TeledyneE2V高速ADC芯片EV10AS150B 1:4解復(fù)用數(shù)字輸出與LVDS邏輯兼容，可輕易與標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定FPGA或DSP接口。EV10AS150B的DMUX比為1:4時(shí)最高可達(dá)2.6Gsps，DMUX比為1:2時(shí)最高可達(dá)2.0Gsps（DMUX比為1:2時(shí)的速度限制關(guān)鍵取決于2×1Gsps的外界數(shù)據(jù)流交換性能和可用FPGA）。
TeledyneE2V高速ADC芯片EV10AS150BADC+DMUX組合裝置封裝在25×35mm加強(qiáng)型球柵陣列EBGA317中。該封裝基于多層，準(zhǔn)許設(shè)計(jì)低阻抗持續(xù)接地和電源模塊平面，及其設(shè)計(jì)50Ω控制阻抗線（100Ω差分阻抗）。該封裝具備與FR4應(yīng)用領(lǐng)域板相似的熱膨脹系數(shù)（TCE），因此在重復(fù)熱循環(huán)中具備優(yōu)質(zhì)的長(zhǎng)期安全可靠性。
特征
?ADC10位分辨率；
?高至2.6Gsps的采樣率；
?可選擇1:4或1:2解復(fù)用數(shù)字LVDS輸出；
?真正的單核架構(gòu)（無(wú)需校準(zhǔn)）；
?可根據(jù)3線串行接口進(jìn)行外界交疊
–增益調(diào)節(jié)
–偏移調(diào)節(jié)
–采樣延遲調(diào)節(jié)
?滿標(biāo)度模擬輸入電壓范圍500mVpp；
?100Ω差分模擬輸入和時(shí)鐘輸入；
?差分?jǐn)?shù)字輸出，LVDS邏輯兼容性；
?低延遲管道延遲；
?輸出數(shù)據(jù)記錄的測(cè)試模式（BIST）；
?電源管理（休眠、睡眠模式）；
?EBGA317（加強(qiáng)型球柵陣列）部件；
應(yīng)用領(lǐng)域
?直接寬帶射頻下變頻；
?寬帶網(wǎng)絡(luò)通信接收器；
?高速儀器設(shè)備；
?高速數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)；
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