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兩個(gè)新的GaAs高IP3 I / Q混頻器MMIC

發(fā)布時(shí)間：2018-07-30 14:45:45 瀏覽：2114

我們CUSTOM MMIC很高興地宣布，我們已經(jīng)為我們的產(chǎn)品系列增加了兩個(gè)新的GaAs高IP3 I / Q混頻器MMIC，涵蓋C和X波段，CMD257C4和CMD258C4。這些新型混頻器具有寬IF帶寬和出色的鏡像抑制能力，極其緊湊的4x4 SMT封裝，與混合式鏡像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件相比，可節(jié)省成本。

所述CMD257C4提供從DC寬IF帶寬至3.5千兆赫，和從6 1GHz至10GHz的RF LO帶寬。該混頻器具有出色的31 dB鏡像抑制能力和5.2 dB的低轉(zhuǎn)換損耗。

所述CMD258C4還提供了一個(gè)極好的鏡像抑制29分貝，5.5分貝低轉(zhuǎn)換損耗。該混頻器RF LO范圍還涵蓋從7.5 GHz到13 GHz的C波段和X波段頻率，具有DC至3.5 GHz的寬IF帶寬。

CMD257C4和CMD258C4均可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器，由兩個(gè)雙平衡混頻器單元和90度混合器組成。需要外部IF混合來(lái)完成鏡像抑制。這些MMIC混頻器采用無(wú)引腳表面貼裝封裝，設(shè)計(jì)工作在-40°C至85°C的規(guī)格范圍內(nèi)。

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