?WGC22630熱增強GaN放大器CREE
發布時間:2024-10-17 17:08:29 瀏覽:615
CREE的WGC22630是款630 W(P4dB)GaN-on-Silicon Carbide HEMT放大器,非常適合多標準化蜂窩功率放大器技術需求設計。WGC22630具備2110-2200 MHz的優化操作控制熱增強的包覆塑料封裝。
特征
GaN基SiC HEMT技術
單脈沖CW性能:2155 MHz,48 V,40μs脈沖寬度,10%pwm占空比,組合輸入輸出
輸出功率@P4dB=630 W
P4dB=68%時的效率
滿足RoHS標準化
產品規格
介紹:熱增強GaN放大器630 W,48 V,2110-2200 MHz
最高頻率(MHz):2200
電源電壓(V):48
PSAT Watt(W):85
增益(dB):16.5
封裝:TO288-8L
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TGL2201 是 Qorvo 研發的高性能寬帶雙級 GaAs VPIN 限幅器,采用成熟工藝,工作頻率 2 至 25 GHz(TGL2201-SM 為 2 至 12 GHz),小信號插入損耗低(X 波段<0.5 dB),大信號平整泄露功率<18 dBm,輸入功率 CW 適應能力>5 W,恢復時間<115 nS,有裸片和 16-QFN 封裝形式