?GTRB266502FC S波段高功率RF GaN基SiC放大器CREE
發(fā)布時間:2024-10-25 17:07:29 瀏覽:567
CREE放大器GTRB266502FC是款630 W(P3dB)S波段高功率RF GaN基SiC放大器,致力于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩狀電源應(yīng)用需求設(shè)計(jì)。GTRB266502FC具備高效率和無環(huán)槽的熱增強(qiáng)封裝數(shù)據(jù)。
特征
?GaN on SiC技術(shù)
?輸入輸出適配
?不對稱設(shè)計(jì):
主:P3dB=297 W
最高值:P3dB=416W
?脈沖CW性能指標(biāo):2690 MHz,48 V,10μs脈沖寬度,10%pwm占空比,組合輸出
?輸出功率@P3dB=630 W
?P3dB時的效率=67%
?低熱導(dǎo)率
?滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
?蜂窩狀電源
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TGL2201 是 Qorvo 研發(fā)的高性能寬帶雙級 GaAs VPIN 限幅器,采用成熟工藝,工作頻率 2 至 25 GHz(TGL2201-SM 為 2 至 12 GHz),小信號插入損耗低(X 波段<0.5 dB),大信號平整泄露功率<18 dBm,輸入功率 CW 適應(yīng)能力>5 W,恢復(fù)時間<115 nS,有裸片和 16-QFN 封裝形式