?GTRA262802FC高功率RF GaN放大器CREE
發(fā)布時(shí)間:2024-10-31 17:18:10 瀏覽:504
GTRA262802FC是CREE的250瓦(P3dB)GaN on SiC 高功率RF GaN放大器,應(yīng)用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩狀功率放大器技術(shù)應(yīng)用。GTRA262802FC具備輸入適配、高效率和無(wú)軸環(huán)熱增強(qiáng)封裝的特性。
規(guī)格參數(shù)
闡述:SiC HEMT的高功率RF GaN 250 W;48v;2490-2690MHz
最低頻率(MHz):2490
最高頻率(MHz):2690
P3dB輸出功率(W):250
增益值(dB):14
效率(%):54
額定電壓(V):48
封裝類型:Earless
封裝:封裝分立晶體管
技術(shù)應(yīng)用:SiC的GaN
特征
?GaN-on-SiC HEMT技術(shù)應(yīng)用
?輸入適配
?典型的脈沖CW性能,2605 MHz,48 V,組合輸出,16μs脈沖寬度,10%pwm占空比
-P3dB=250W時(shí)的輸出功率
-效率=62%
-增益值=14.4 dB
?同時(shí)在48 V、38 W(CW)輸出功率下操作10:1 VSWR
?模特模型1A級(jí)(根據(jù)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
?低熱阻
?無(wú)鉛并滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)
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