?PXAE263708NB-V1 S波段大功率射頻LDMOS場效應晶體管
發(fā)布時間:2024-11-04 16:57:13 瀏覽:571
PXAE263708NB-V1是CREE的一款400瓦(P3dB)LDMOS FET,應用于2620至2690 MHz頻段的多標準蜂窩狀功率放大器技術應用。包含輸入輸出適配;高增益以及具有無突緣的熱增強封裝形式。PXAE263708NB-V1采用獨特的LDMOS工藝技術;PXAE263708NB-V1具有良好的熱穩(wěn)定性和優(yōu)異的安全性能。
產品規(guī)格
闡述:高功率RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz
最低頻率(MHz):2620
最高頻率(MHz):2690
P3dB輸出功率(W):400
增益(dB):13.5
效率(%):47
額定電壓(V):28
封裝類別:塑料
封裝:封裝形式分立晶體管
技術:LDMOS
特征
寬帶內部輸入輸出適配
非對稱性Doherty設計:主P1dB=140W典型值;最高值P1dB=260 W典型值
典型的脈沖CW特性;2655MHz;28v;多爾蒂構型;AB類:P1dB=200W時的輸出功率;P3dB=400W時的輸出功率;效率=49%(POUT=57 W均值);增益=15 dB(POUT=57 W均值)
能夠處理32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)輸出功率
集成化ESD保護
無鉛并滿足RoHS標準
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TGL2201 是 Qorvo 研發(fā)的高性能寬帶雙級 GaAs VPIN 限幅器,采用成熟工藝,工作頻率 2 至 25 GHz(TGL2201-SM 為 2 至 12 GHz),小信號插入損耗低(X 波段<0.5 dB),大信號平整泄露功率<18 dBm,輸入功率 CW 適應能力>5 W,恢復時間<115 nS,有裸片和 16-QFN 封裝形式