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?GTRB204402FC L波段高功率RF GaN

發布時間：2024-11-06 17:13:24 瀏覽：732

GTRB204402FC/1是CREE的一款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子遷移率晶體管（HEMT），致力于多標準蜂窩狀功率放大器技術應用需求設計。GTRB204402FC具備高效率和無軸環的熱增強封裝。

產品規格

闡述：SiC HEMT上的高功率RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

最低頻率（MHz）：1930

最高頻率（MHz）：2020

P3dB輸出功率（W）：350

增益值（dB）：16.3

高效率（%）：58

額定電壓（V）：48

封裝類別：Earless

封裝：封裝分立晶體管

技術：SiC上的GaN

特征

典型的脈沖CW性能，2020 MHz，48 V，10μs脈沖寬度，10%pwm占空比，組合輸出

P3dB=350W時的輸出功率

P3dB時的高效率=65%

模特模型1C級（根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并滿足RoHS標準

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