?PXAE261908NF-V1 S波段高功率射頻LDMOS FET
發(fā)布時(shí)間:2024-11-08 17:05:23 瀏覽:585
PXAE261908NF-V1是CREE的一款240瓦(P3dB)LDMOS FET,適用于2515至2675 MHz頻段的多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩狀功率放大器技術(shù)應(yīng)用。PXAE261908NF-V1包含輸入輸出適配、高增益和帶無(wú)耳法蘭盤(pán)的熱增強(qiáng)封裝。PXAE261908NF-V1采用最新的LDMOS工藝技術(shù),具有卓越的熱穩(wěn)定性和卓越的安全性能。
產(chǎn)品規(guī)格
闡述:高功率射頻LDMOS FET240W,28 V,2515-2675 MHz
最低頻率(MHz):2515
最高頻率(MHz):2675
P3dB輸出功率(W):240
增益值(dB):13.5
工作效率(%):47
工作電壓(V):28
封裝類(lèi)型:塑料
封裝:封裝分立晶體管
技術(shù)應(yīng)用:LDMOS
特征
典型的脈沖CW性能,2675 MHz,28 V輸出功率,P1dB=51 W輸出功率,P3dB=240 W增益值=11.8 dB工作效率=60%
集成化ESD保護(hù)
模特模型,2級(jí)(根據(jù)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
低熱導(dǎo)率
無(wú)鉛并滿(mǎn)足RoHS標(biāo)準(zhǔn)
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TGL2201 是 Qorvo 研發(fā)的高性能寬帶雙級(jí) GaAs VPIN 限幅器,采用成熟工藝,工作頻率 2 至 25 GHz(TGL2201-SM 為 2 至 12 GHz),小信號(hào)插入損耗低(X 波段<0.5 dB),大信號(hào)平整泄露功率<18 dBm,輸入功率 CW 適應(yīng)能力>5 W,恢復(fù)時(shí)間<115 nS,有裸片和 16-QFN 封裝形式