WS1A2639-V1-R3K S波段功率放大器CREE
發(fā)布時(shí)間:2024-11-14 17:26:18 瀏覽:637
WS1A2639-V1-R3K是CREE的一款非對稱多赫蒂功率放大器模塊(PAM),將GaN on SiC技術(shù)應(yīng)用和現(xiàn)代化的匹配和偏置電壓網(wǎng)絡(luò)集成在具備高端散熱系統(tǒng)的多層層壓基材上。WS1A2639-V1-R3K頻率范圍在2496 MHz至2690 MHz。并且使用最高50V的電源電壓;均值輸出功率標(biāo)準(zhǔn)為6至8 W,最高值因子下降,數(shù)字預(yù)失真的LTE和5G NR數(shù)據(jù)信號(hào),瞬時(shí)帶寬高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被封裝在6mm X 6mm的焊層?xùn)鸥耜嚵校?/span>LGA)封裝中。
產(chǎn)品規(guī)格
闡述:38.5dBmGaN on SiC功率放大器模塊;2496-2690MHz
最低頻率(MHz):2496
最高頻率(MHz):2690
P3dB輸出功率(W):50
增益值(dB):16.5
效率(%):57
額定電壓(V):48
封裝類別:表面貼裝
封裝:封裝分立晶體管
技術(shù)應(yīng)用:SiC上的GaN
特征
GaN基SiC技術(shù)應(yīng)用
從器件兩側(cè)為主導(dǎo)和最高值子放大器具備柵極偏置電壓電源
集成化諧波終端
無鉛并滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)
推薦的驅(qū)動(dòng)安裝是WSGPA01
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TGL2201 是 Qorvo 研發(fā)的高性能寬帶雙級(jí) GaAs VPIN 限幅器,采用成熟工藝,工作頻率 2 至 25 GHz(TGL2201-SM 為 2 至 12 GHz),小信號(hào)插入損耗低(X 波段<0.5 dB),大信號(hào)平整泄露功率<18 dBm,輸入功率 CW 適應(yīng)能力>5 W,恢復(fù)時(shí)間<115 nS,有裸片和 16-QFN 封裝形式