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?CGHV60170D-GP4高電子遷移率晶體管

發(fā)布時(shí)間：2024-11-18 17:03:20 瀏覽：820

CGHV60170D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優(yōu)異的性能；包含較高的擊穿場強(qiáng)；飽和電子偏移速度較高；及其較高的傳熱性。與Si和GaAs晶體管相比較，CGHV60170D提供較高的功率密度和更寬的頻帶寬度。

產(chǎn)品規(guī)格

闡述：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMT芯片

最低頻率（MHz）：0

最高頻率（MHz）：6000

增益值（dB）：17

封裝類別：Die

特征

65%典型功率附加效率

170 W典型PSAT

50V操控

高擊穿場強(qiáng)

頻率范圍高至6 GHz

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