GTRB246608FC-V1高電子遷移率晶體管
發布時間:2024-11-20 16:51:18 瀏覽:482
GTRB246608FC-V1是CREE的一款500瓦(P4dB)的SiC上GaN高電子遷移率晶體管(HEMT),致力于多標準蜂窩狀功率放大器應用需求設計。GTRB246608FC-V1具備高效率和無軸環的熱增強封裝。
產品規格
闡述:高功率RF GaN SiC HEMT 500 W,48 V,2300-2400 MHz
最高頻率(MHz):2400
增益(dB):15.7
封裝類別:Earless
特征
典型脈沖CW性能,2400 MHz,48 V,10μs脈沖頻率,10%占空比,組合輸出
P4dB=600 W時的輸出功率
P4dB=60%時的效率
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推薦資訊
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TGL2201 是 Qorvo 研發的高性能寬帶雙級 GaAs VPIN 限幅器,采用成熟工藝,工作頻率 2 至 25 GHz(TGL2201-SM 為 2 至 12 GHz),小信號插入損耗低(X 波段<0.5 dB),大信號平整泄露功率<18 dBm,輸入功率 CW 適應能力>5 W,恢復時間<115 nS,有裸片和 16-QFN 封裝形式