?CMPA0060002D射頻放大器CREE
發(fā)布時間:2024-12-02 17:14:36 瀏覽:539
CMPA0060002D是一種帶有氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具有更加優(yōu)異的性能,包含更高的擊穿場強(qiáng)、更高的飽和電子漂移速度與更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。CMPA0060002D使用分布式(導(dǎo)波)放大器設(shè)計(jì)思路,能夠在更小的占用面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)極寬的帶寬。
特征
?17 dB小信號增益值
?2 W典型PSAT
?額定電壓高達(dá)28V
?高擊穿場強(qiáng)
?高溫度使用
?尺寸0.169 x 0.066 x 0.004英寸
應(yīng)用
?超寬帶放大器
?光纖線驅(qū)動器
?測試設(shè)備
?EMC放大器驅(qū)動器
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推薦資訊
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TGL2201 是 Qorvo 研發(fā)的高性能寬帶雙級 GaAs VPIN 限幅器,采用成熟工藝,工作頻率 2 至 25 GHz(TGL2201-SM 為 2 至 12 GHz),小信號插入損耗低(X 波段<0.5 dB),大信號平整泄露功率<18 dBm,輸入功率 CW 適應(yīng)能力>5 W,恢復(fù)時間<115 nS,有裸片和 16-QFN 封裝形式