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900 V分立碳化硅MOSFET CREE

發(fā)布時間：2024-12-17 11:21:28 瀏覽：754

CREE擴展了其在碳化硅（SiC）技術(shù)中的主導(dǎo)地位，低電感分立封裝具備寬沿面和漏極與源極之間的空隙距離（~8mm）。900 V分立碳化硅MOSFET靈活運用最新的MOSFET芯片高頻性能，并且提供應(yīng)用于高污染環(huán)境的超額電氣隔離。獨立的開爾文源管腳減少了功率電感；從而開關(guān)損耗減少了30%。設(shè)計師可以借助從硅基轉(zhuǎn)向硅基來降低器件數(shù)量；通過增加開關(guān)性能，可以通過三電平拓撲轉(zhuǎn)換成更高效的兩電平拓撲。

特征

在整體工作溫度范圍內(nèi)，最低電壓是900V Vbr

帶驅(qū)動源的低阻抗封裝

高阻斷電壓，低RDS（開啟）

低反向恢復(fù)（Qrr）的高效本征二極管

有利于并聯(lián)，使用簡單

優(yōu)勢

通過減少開關(guān)和傳遞損耗提升系統(tǒng)效率

實現(xiàn)高開關(guān)頻率操控

提高系統(tǒng)級功率密度

降低系統(tǒng)規(guī)模；凈重；和冷卻需求

啟動新的硬開關(guān)拓撲（Totem Pole PFC）

典型應(yīng)用

電機控制系統(tǒng)

新能源充電樁系統(tǒng)

應(yīng)急電源（UPS）

電池測試系統(tǒng)

新能源電動車極速充電系統(tǒng)

車載充電器

傳動裝置

焊接工藝

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司授權(quán)經(jīng)銷CREE微波器件，如若需要購CREE產(chǎn)品，請點擊右側(cè)客服聯(lián)系我們！！！

Product SKU	Blocking Voltage	RDS(ON) at 25°C	Current Rating	Tjmax	Package
C3M0065090D	900 V	65 mΩ	36 A	150 °C	TO-247-3
C3M0120090D	900 V	120 mΩ	23 A	150 °C	TO-247-3
C3M0280090D	900 V	280 mΩ	11.5 A	150 °C	TO-247-3
C3M0030090K	900 V	30 mΩ	63 A	150 °C	TO-247-4
C3M0065090J	900 V	65 mΩ	35 A	150 °C	TO-263-7
C3M0120090J	900 V	120 mΩ	22 A	150 °C	TO-263-7
C3M0280090J	900 V	280 mΩ	11.5 A	150 °C	TO-263-7

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