ADRF5132單級(jí)雙擲反射開(kāi)關(guān)
發(fā)布時(shí)間:2024-12-17 11:36:58 瀏覽:180
ADRF5132是款高功率、反射性、0.7 GHz至5.0 GHz、硅、單極、雙擲(SPDT)反射開(kāi)關(guān),使用無(wú)導(dǎo)線表面貼裝封裝形式。該交換機(jī)特別適合高功率和蜂窩狀基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)應(yīng)用,如長(zhǎng)時(shí)間演進(jìn)(LTE)基站設(shè)備。ADRF5132具備35 dBm LTE的高功率處理效率(在105°C下的均值典型值),2.7 GHz下0.6 dB的低插入損耗,65 dBm的輸入三階截距(典型值)和42.5 dBm的0.1 dB壓縮(P0.1dB)。
ADRF5132板上電源電路在5V的單一正電源電壓和1.1mA的典型電源電流下運(yùn)行,使ADRF5132成為基于pin二極管的開(kāi)關(guān)的理想化替代品。
ADRF5132選用滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型16管腳3 mm×3 mmLFCSP封裝形式。
特征
反射性,50?設(shè)計(jì)
低插入損耗:2.7 GHz時(shí)典型為0.6 dB
TCASE=105°C時(shí)的高功率解決
長(zhǎng)時(shí)間(>10年運(yùn)行)
最大功率:43 dBm
CW功率:38 dBm
LTE峰值功率(8 dB標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)):35 dBm
單事件(<10秒操作)
LTE峰值功率(8 dB標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)):41 dBm
高線性度
P0.1dB:42.5 dBm典型值
IP3:2.0 GHz至4.0 GHz時(shí)的典型值為65 dBm
ESD額定值
HBM:2 kV,2級(jí)
CDM:1.25 kV
單正電源:5V
正向控制,兼容CMOS/TTL
16管腳,3mm×3mm LFCSP封裝形式
應(yīng)用
蜂窩狀/4G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)
無(wú)線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)
軍事和高可靠性應(yīng)用
測(cè)試儀器
Pin二極管替換
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