?1000V分立碳化硅MOSFET CREE
發布時間:2024-12-18 17:18:27 瀏覽:231
CREE提供多種1000V碳化硅(SiC)MOSFET,專門針對新能源充電樁系統等迅速功率開關進行優化;LED電源;及其可再生資源系統。1000V碳化硅MOSFET根據以及具有低導通電阻的特殊器件去解決諸多功率設計挑戰;輸出電容極低;以及低源電感,實現低功率損耗和低傳輸損耗的完美結合。與硅基溶液相比較;CREE碳化硅功率設備系統能夠提高設備功率密度;較高的載波頻率;減少部件數量;及其減少電感器等模塊的規格;電容器;濾波器和變壓器。
特征
整體工作溫度范圍最低1kV Vbr(無需降額)
低輸出電容的高速度開關
低反向恢復(Qrr)的高效本征二極管
有利于并聯,行駛簡單
開爾文源管腳,減少功率損耗和振鈴
優勢
降低整體系統成本費用
提高設備效率,同時減少系統大小
使部件數量減少30%,同時功率密度提高3倍以上,輸出功率提高33%
啟動硬交換拓補
典型應用
LED電源
可再生資源系統
迅速新能源充電樁系統
車載式新能源充電樁
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Product SKU | Blocking Voltage | RDS(ON) at 25°C | Current Rating | Tjmax | Package | Qualification |
C3M0065100K | 1000 V | 65 mΩ | 35 A | 150 °C | TO-247-4 | Industrial |
C3M0120100K | 1000 V | 120 mΩ | 22 A | 150 °C | TO-247-4 | Industrial |
C3M0065100J | 1000 V | 65 mΩ | 35 A | 150 °C | TO-263-7 | Industrial |
C3M0120100J | 1000 V | 120 mΩ | 22 A | 150 °C | TO-263-7 | Industrial |
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