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?第三代650 V裸片SiC MOSFET

發布時間:2025-01-03 16:57:39     瀏覽:526

行業內超一流導通電阻和開關損耗,能夠實現最佳性能和功率密度參數

Wolfspeed根據第三代650 V SiC MOSFET增加了其碳化硅(SiC)技術上的主導地位。在更全面的電力系統中滿足體型更小、重量更輕、更高效的電力轉化。650 V SiC MOSFET是性能卓越工業電源、服務器/電信網絡電源、新能源電動車(EV)充電裝置、儲能設備、應急電源(UPS)和電池管理系統等功能的最佳選擇。

特征

低溫環境的低導通電阻

低寄生電容

具備極低反向恢復的高效二極管

持續高溫操控(Tj=175°C

MOSFET.png

優勢

通過調整開關和傳輸損耗提高設備效率

實現高開關頻率操控

提高系統級功率密度參數

降低裝置規格;重量;和冷卻要求

典型應用

工業電源

服務器/電信網絡

新能源充電樁裝置

儲能設備(ESS

應急電源(UPS

電池管理系統(BMS

CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優勢供貨渠道,信用保證原裝正品。

*部分型號需申請美國出口許可。詳情了解更多型號,歡迎咨詢立維創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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