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MAPS-011008相控陣?yán)走_(dá)6位數(shù)字移相器集成CMOS驅(qū)動器

2018-09-17 15:28:03

MAPS-011008是一款GaAs pHEMT 6位數(shù)字移相器，集成CMOS驅(qū)動器，采用無鉛4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為5.6°，提供從0°到360°的相移，步長為5.6°。該設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地減少相移范圍內(nèi)衰減的變化。

MAPS-011007航空航天與國防GaAs pHEMT 6位數(shù)字移相器

2018-09-17 15:26:04

MAPS-011007是一款GaAs pHEMT 6位數(shù)字移相器，集成CMOS驅(qū)動器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為5.6°，提供從0°到360°的相移，步長為5.6°。該設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地減少相移范圍內(nèi)衰減的變化。MAPS-011007非常適用于需要高相位精度且相移范圍內(nèi)損耗變化最小的場合。

mx8811h–> 8 Gbps 11位8:1多路復(fù)用器

2018-09-13 17:18:41

MX8811H相當(dāng)于一個高速11通道的8∶1多路復(fù)用器。雙數(shù)據(jù)速率鎖存器使11位差分?jǐn)?shù)據(jù)輸出的數(shù)據(jù)速率為時鐘速率的兩倍。輸出驅(qū)動器的上拉電源VCCO可用于設(shè)置適合于最流行的高速接口標(biāo)準(zhǔn)，如CML或LVDS的輸出電平。多路復(fù)用器可以以時鐘速率＞4 GHz工作。

mx4411h–> 8 Gbps 11位4:1多路復(fù)用器

2018-09-13 17:07:26

MX4411H相當(dāng)于一個高速11通道的4:1多路復(fù)用器。雙數(shù)據(jù)速率鎖存器使11位差分?jǐn)?shù)據(jù)輸出的數(shù)據(jù)速率為時鐘速率的兩倍。輸出驅(qū)動器的上拉電源VCCO可用于設(shè)置適合于最流行的高速接口標(biāo)準(zhǔn)，如CML或LVDS的輸出電平。多路復(fù)用器可以以時鐘速率＞4 GHz工作。

MX2412H -＞8 Gbps 12位2:1多路復(fù)用器

2018-09-13 17:01:28

MX2412H相當(dāng)于2:1多路復(fù)用器的高速12通道。雙數(shù)據(jù)速率鎖存器使12位差分?jǐn)?shù)據(jù)輸出的數(shù)據(jù)速率為時鐘速率的兩倍。輸出驅(qū)動器的上拉電源VCCO可用于設(shè)置適合于最流行的高速接口標(biāo)準(zhǔn)，如CML或LVDS的輸出電平。多路復(fù)用器可以是 時鐘速率＞4 GHz。

mx8811s–4 Gbps的11位8:1多路復(fù)用器

2018-09-13 16:54:45

MX8811S是一個高速11通道的8∶1多路復(fù)用器。88個單端數(shù)據(jù)輸入被多路復(fù)用到11位差分?jǐn)?shù)據(jù)輸出。輸出驅(qū)動器的上拉電源VCCO可用于設(shè)置適合于最流行的高速接口標(biāo)準(zhǔn)，如CML或LVDS的輸出電平。多路復(fù)用器可以以時鐘速率＞4 GHz工作。

MX4411D - 4 Gbps 11位4:1多路復(fù)用器

2018-09-13 16:18:53

MX4411D是一個高速11通道的4:1多路復(fù)用器。44個差分對數(shù)據(jù)輸入被多路復(fù)用到11位差分?jǐn)?shù)據(jù)輸出。輸出驅(qū)動器的上拉電源VCCO可用于設(shè)置適合于最流行的高速接口標(biāo)準(zhǔn)，如CML或LVDS的輸出電平。多路復(fù)用器可以以時鐘速率＞4 GHz工作。

MX2412D—4 Gbps 12位2:1多路復(fù)用器

2018-09-13 16:10:24

MX2412D是2:1多路復(fù)用器的高速12通道。24個差分對數(shù)據(jù)輸入被多路復(fù)用到12位差分?jǐn)?shù)據(jù)輸出。輸出驅(qū)動器的上拉電源VCCO可用于設(shè)置適合于最流行的高速接口標(biāo)準(zhǔn)，如CML或LVDS的輸出電平。多路復(fù)用器可以以時鐘速率＞4 GHz工作。數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸入是具有片上100歐姆終端電阻的LVDS。

SC800寬帶連續(xù)波集成信號合成器7100046-01——SignalCore

2018-09-12 15:28:44

美國SignalCore提供SC800系列寬帶連續(xù)波集成信號合成器，產(chǎn)品集成了多重鎖相環(huán)、DDS、分頻器，小型尺寸貼片式封裝2”x1”，輸出頻率范圍25MHz~6GHz,自帶微處理器和驅(qū)動程序，極大地降低了設(shè)備通信設(shè)計復(fù)雜程度。

DS872——高速啁啾直接數(shù)字頻率合成器

2018-09-12 11:25:04

DS872是一種高速直接數(shù)字合成器（DDS），頻率調(diào)諧分辨率為32位，ROM相位分辨率為13位，DAC幅度分辨率為11位。DAC的模擬輸出可以在正常保持模式（對于第一奈奎斯特頻帶）和返回到零模式（對于第一、第二和第三奈奎斯特頻帶）操作之間進(jìn)行選擇。

DS875A—具有調(diào)幅調(diào)幅端口的直接數(shù)字頻率合成器

2018-09-12 11:12:48

DS875A是一種高速直接數(shù)字合成器（DDS），具有相位調(diào)制和幅度調(diào)制輸入端口，設(shè)計用于直接極性調(diào)制或QAM應(yīng)用。它具有24位的頻率調(diào)諧分辨率，8位的相位調(diào)制輸入和8位的幅度調(diào)制輸入。內(nèi)部ROM具有12位的相位分辨率，內(nèi)部DAC具有11位的幅度分辨率。

DS875調(diào)相直接調(diào)相直接數(shù)字頻率合成器

2018-09-12 11:01:34

DS875是一種帶有調(diào)相輸入端口的高速直接數(shù)字合成器（DDS）。它具有30位的頻率調(diào)諧分辨率和11位的相位調(diào)制輸入。內(nèi)部ROM具有12位的相位分辨率，內(nèi)部DAC具有11位的幅度分辨率。DAC的模擬輸出可以在正常保持模式（第一）之間選擇。

DS855——相位調(diào)制直接數(shù)字頻率合成器

2018-09-12 10:54:20

ds855是高速直接數(shù)字頻率合成器（DDS）與一個32位頻率調(diào)諧分辨率，11位相位調(diào)制輸入和11位的幅度分辨率。第一奈奎斯特帶中的正弦波可以產(chǎn)生到接近1.2 GHz（在2.5GHz時鐘速率）。初始相位可以重置為零度的正弦波開始。

8.0 - 12.0 GHz 集成CMOS驅(qū)動器6位數(shù)字移相器MAPS-010166

2018-09-11 14:57:04

MAPS-010166是一款GaAs pHEMT 6位數(shù)字移相器，集成CMOS驅(qū)動器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為5.6°，提供從0°到360°的相移，步長為5.6°。該設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地減少相移范圍內(nèi)衰減的變化。

MAPS-010165 航空航天與國防GaAs pHEMT 6位數(shù)字移相器3.5 - 6.0 GHz

2018-09-11 14:49:57

MAPS-010165是一款GaAs pHEMT 6位數(shù)字移相器，集成CMOS驅(qū)動器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為5.6°，提供從0°到360°的相移，步長為5.6°。該設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地減少相移范圍內(nèi)衰減的變化。

2.3 - 3.8 GHz 相控陣?yán)走_(dá)6位數(shù)字移相器MAPS-010164

2018-09-11 14:47:49

MAPS-010164是一款GaAs pHEMT 6位數(shù)字移相器，集成CMOS驅(qū)動器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為5.6°，提供從0°到360°的相移，步長為5.6°。該設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地減少相移范圍內(nèi)衰減的變化。

1.4 - 2.4 GHz 通信天線GaAs pHEMT 6位數(shù)字移相器MAPS-0101631.4 - 2.4 GHz

2018-09-11 14:19:31

MAPS-010163是一款GaAs pHEMT 6位數(shù)字移相器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝，集成CMOS驅(qū)動器。步長為5.6°，提供從0°到360°的相移，步長為5.6°。該設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地減少相移范圍內(nèi)衰減的變化。

8.0 - 12.0 GHz相控陣?yán)走_(dá)4位數(shù)字移相器MAPS-010146

2018-09-11 14:13:54

MAPS-010146是一款GaAs pHEMT 4位數(shù)字移相器，集成CMOS驅(qū)動器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為22.5°，提供從0°到360°的相移，步長為22.5°。該設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地減少相移范圍內(nèi)衰減的變化。

MAPS-010145航空航天GaAs pHEMT 4位數(shù)字移相器

2018-09-11 14:03:14

MAPS-010145是一款GaAs pHEMT 4位數(shù)字移相器，集成CMOS驅(qū)動器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為22.5°，提供從0°到360°的相移，步長為22.5°。該設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地減少相移范圍內(nèi)衰減的變化。

MAPS-010144相控陣?yán)走_(dá)GaAs pHEMT 4位數(shù)字移相器

2018-09-11 13:58:37

MAPS-010144是一款GaAs pHEMT 4位數(shù)字移相器，集成CMOS驅(qū)動器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝。步長為22.5°，提供從0°到360°的相移，步長為22.5°。該設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地減少相移范圍內(nèi)衰減的變化。

低直流電耗4位數(shù)字移相器MAPS-010143

2018-09-11 13:50:44

MAPS-010143是一款GaAs pHEMT 4位數(shù)字移相器，采用4 mm PQFN塑料表面貼裝封裝，集成CMOS驅(qū)動器。步長為22.5°，提供從0°到360°的相移，步長為22.5°。該設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地減少相移范圍內(nèi)衰減的變化。

DS856-高速3GHz直接數(shù)字頻率合成器

2018-09-10 14:44:09

DS856是一種高速直接數(shù)字合成器（DDS），頻率調(diào)諧分辨率為32位，ROM相位分辨率為13位，DAC幅度分辨率為11位。第一奈奎斯特帶中的正弦波可以產(chǎn)生到接近1.6 GHz（在3.2-GHz時鐘速率）。

DS852——高速2.2 GHz直接數(shù)字頻率合成器

2018-09-10 14:37:52

DS852是一種高速直接數(shù)字合成器（DDS），頻率調(diào)諧分辨率為32位，幅度分辨率為11位。第一奈奎斯特帶中的正弦波可以產(chǎn)生到接近1.1 GHz（在2.2-GHz時鐘速率）。初始階段可以重置為零度開始。該芯片有一對互補(bǔ)輸出50Ω后端。

DS707——高速啁啾直接數(shù)字頻率合成器

2018-09-10 14:30:12

DS877是一種高速直接數(shù)字合成器（DDS），頻率調(diào)諧分辨率為32位，ROM相位分辨率為13位，DAC幅度分辨率為11位。DAC的模擬輸出可以在正常保持模式(對于第一奈奎斯特頻帶)和歸零模式(對于第一、第二和第三奈奎斯特頻帶)操作之間選擇。

DS88高速啁啾直接數(shù)字頻率合成器

2018-09-10 14:26:13

DS878是一種高速直接數(shù)字合成器（DDS），頻率調(diào)諧分辨率為32位，ROM相位分辨率為13位，DAC幅度分辨率為11位。DAC的模擬輸出可以在正常保持模式(對于第一奈奎斯特頻帶)和歸零模式(對于第一、第二和第三奈奎斯特頻帶)操作之間選擇。

超寬帶高功率高效率的GaN放大器

2018-09-06 15:30:42

我們報告了一種超寬帶高功率高效率的GaN放大器。運(yùn)行從100MHz到3000兆赫。最好的結(jié)果包括100W的輸出功率，22dB增益，40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設(shè)備來實(shí)現(xiàn)的。阻抗與獨(dú)特的寬帶電路匹配拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。二者詳細(xì)設(shè)計技術(shù)將給出器件和匹配電路。

40-4000MHz寬帶高功率GaN MMIC功率放大器

2018-09-06 15:21:17

我們報告了一個高性能的GaN MMIC功率放大器工作在40MHz到400MHz之間。這個實(shí)現(xiàn)80W脈沖（100US脈沖寬度和10%占空比）MMIC循環(huán)）輸出功率（P5dB），40MHz，50W效率為54%大約30%的效率在大部分的中間波段，以及在400MHz時，效率逐漸降低到30W，效率為22%。

使用具有獨(dú)立柵極偏壓控制的并聯(lián)晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強(qiáng)

2018-09-06 15:19:40

GaN HEMT具有高輸出功率密度和寬帶寬下的高效率。但是GaN HEMT的線性度通常比GaAs器件的線性度差。本文提出了一種簡單的方法來改善GaN HEMT的線性度。所提出的方法是將器件分成與獨(dú)立控制的柵極偏置電壓并聯(lián)的多個子單元，然后對子單元輸出進(jìn)行功率組合。

CMD273P3高隔離度低損耗寬帶DPDT轉(zhuǎn)換開關(guān)DC-12 GHz

2018-09-05 17:08:51

CMD273P3是一款低損耗寬帶正控制MMIC DPDT轉(zhuǎn)換開關(guān)，采用無引腳3x3 mm表面貼裝封裝。CMD273P3覆蓋直流至12 GHz，在6 GHz時具有1.7 dB的低插入損耗和42 dB的高隔離度。CMD273P3采用0 / + 5 V互補(bǔ)控制電壓邏輯線工作。

CMD272P3低損耗寬帶正控制MMIC DPDT轉(zhuǎn)換開關(guān)DC-10 GHz

2018-09-05 17:06:11

CMD272P3是一款低損耗寬帶正控制MMIC DPDT轉(zhuǎn)換開關(guān)，采用無引腳3x3 mm表面貼裝封裝。CMD272P3覆蓋直流至10 GHz，插入損耗低至1 dB，6 GHz時的高隔離度為43 dB。CMD272P3采用0 / + 5 V互補(bǔ)控制電壓邏輯線工作。