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SXA389BZ高效GaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管放大器 Qorvo現(xiàn)貨熱賣

2018-07-19 13:59:22

Qorvo的SXA389BZ放大器是一種高效GaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）MMIC，采用低成本表面貼裝塑料封裝。這些HBT MMIC采用分子束外延生長技術(shù)制造，可在晶圓與晶圓之間以及批次之間產(chǎn)生可靠且一致的性能。

RFPA3800高功率高效率單級GaAs HBT功率放大器 Qorvo現(xiàn)貨

2018-07-19 11:59:58

Qorvo的RFPA3800是一款單級GaAs HBT功率放大器，專為高功率，高效率應(yīng)用而設(shè)計。它也非常適合無線基礎(chǔ)設(shè)施線性功率放大器應(yīng)用。通過改變靜態(tài)偏置點和負載線，RFPA3800可以針對線性或飽和操作進行優(yōu)化。

RFPA2545寬帶GaAs HBT功率放大器 Qorvo代理商現(xiàn)貨熱銷

2018-07-19 10:20:13

Qorvo的RFPA2545是一款寬帶GaAs HBT功率放大器，專為無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計。這款高性能單級放大器采用高度可靠的GaAs HBT技術(shù)，可在寬頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)更高的增益和超高線性度。它具有出色的后退特性，是超線性應(yīng)用的理想選擇。

RFPA2026高增益3級HBT功率放大器模塊 Qorvo現(xiàn)貨出售

2018-07-19 10:17:52

Qorvo的RFPA2026是一款3級HBT功率放大器模塊，具有高增益和出色的效率。外部匹配和偏置控制使RFPA2026能夠針對各種應(yīng)用進行優(yōu)化，包括700MHz至2700MHz的小型功率放大器和超線性驅(qū)動器放大器。用戶還可以繞過第一階段以降低增益和功耗。

GaN X頻段雷達應(yīng)用MMIC前端模塊 (FEM)QPM1002 高功率國防AESA 雷達系統(tǒng)的X頻段FEM

2018-07-18 14:33:06

QPM1002是一款氮化鎵MMIC前端模塊（FEM），專為8.5 - 10.5 GHz范圍內(nèi)的X波段雷達應(yīng)用而設(shè)計。MMIC結(jié)合了T / R開關(guān)，低噪聲放大器和功率放大器。適合高功率國防AESA 雷達系統(tǒng)的 GaN X 頻段 FEM

Qorvo國防應(yīng)用的 X 頻段雷達QPM2637氮化鎵MMIC前端模塊（FEM）

2018-07-18 14:21:37

QPM2637是一款氮化鎵MMIC前端模塊（FEM），專為9-10.5 GHz范圍內(nèi)的國防?X波段雷達應(yīng)用而設(shè)計。MMIC結(jié)合了T / R開關(guān)，低噪聲放大器和功率放大器。

39GHz相控陣5G基站QPF4006氮化鎵MMIC前端模塊低噪聲高線性度LNA 現(xiàn)貨出售

2018-07-18 11:59:45

QPF4006是一款多功能氮化鎵MMIC前端模塊，適用于39GHz相控陣5G基站和終端。該器件結(jié)合了低噪聲高線性度LNA，低插入損耗高隔離度TR開關(guān)和高增益高效率多級PA。

L 頻段RF分立式GaN晶體管 QPD1025航空電子射頻晶體管 Qorvo現(xiàn)貨出售

2018-07-18 11:29:24

Qorvo的QPD1025是SiC HEMT上的1800 W（P3dB）分立GaN，L 頻段1800W雙通道射頻晶體管，非常適用于IFF，航空電子設(shè)備和測試儀器。該器件可以支持CW和脈沖操作。工作頻率范圍為1.0至1.1 GHz。

寬帶高增益高線性度驅(qū)動放大器QPA9120 適用于5G密集陣列m-MIMO無線電應(yīng)用 Qorvo現(xiàn)貨

2018-07-18 11:23:01

QPA9120是一款寬帶，高增益，高線性度驅(qū)動放大器，QPA9120旨在用作無線基礎(chǔ)設(shè)施的前置驅(qū)動放大器，其中需要高線性度，中等射頻功率和高效直流電源操作。該器件是5G密集陣列m-MIMO無線電應(yīng)用的絕佳選擇。

兩級功率放大器模塊QPA4501 適應(yīng)用3 W RMS的5G大規(guī)模MIMO Qorvo代理現(xiàn)貨

2018-07-18 11:01:22

QPA4501是一款集成的2級功率放大器模塊，設(shè)計用于器件輸出高達3 W RMS的5G大規(guī)模MIMO應(yīng)用。QPA4501采用Doherty最終級，為整個模塊提供高功率附加效率，平均功率高達3 W。

雙通道開關(guān)LNA模塊5G射頻QPB9329 用于TDD基站及5G大規(guī)模MIMO系統(tǒng) Qorvo現(xiàn)貨

2018-07-18 10:03:14

Qorvo的5G射頻QPB9329是一款高度集成的前端模塊，適用于TDD基站及5G大規(guī)模MIMO系統(tǒng)。開關(guān)LNA模塊在雙通道配置中集成了兩級LNA和高功率開關(guān)。第二級LNA能夠進入旁路模式。

5G無線基礎(chǔ)設(shè)施Doherty放大器QPB9319適用TDD基站 Qorvo現(xiàn)貨

2018-07-18 09:43:59

Doherty放大器QPB9319是一款高度集成的前端模塊，適用于TDD基站。開關(guān)LNA模塊在雙通道配置中集成了兩級LNA和高功率開關(guān)。主要應(yīng)用于5G無線基礎(chǔ)設(shè)施，5G，4.5G，5G大規(guī)模MIMO系統(tǒng) ，基于TDD的架構(gòu)基站等。

RFPA2016高增益3級HBT功率放大器模塊 Qorvo現(xiàn)貨

2018-07-17 16:22:56

Qorvo的RFPA2016是一款3級HBT功率放大器模塊，具有高增益和出色的效率。外部匹配和偏置控制使RFPA2016能夠針對各種應(yīng)用進行優(yōu)化，包括700MHz至2700MHz的小型功率放大器和超線性驅(qū)動器放大器。

RFPA2013無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用0.5W功率放大器 Qorvo現(xiàn)貨

2018-07-17 16:13:30

Qorvo的RFPA2013是一款專為無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計的單級GaAs HBT功率放大器。它以相對較低的直流功率提供超線性操作，使其成為需要高效率的下一代無線電的理想選擇。

RFPA1545單級GaAs HBT高功率高效率放大器 Qorvo現(xiàn)貨

2018-07-17 16:04:58

Qorvo的RFPA1545是一款單級GaAs HBT功率放大器，專為高功率，高效率應(yīng)用而設(shè)計。它也非常適合無線基礎(chǔ)設(shè)施線性驅(qū)動放大器應(yīng)用。FPA1545可針對150MHz至1000MHz范圍內(nèi)的子頻段進行線性或飽和操作進行優(yōu)化。

RFPA1012高線性度HBT線性功率放大器 Qorvo現(xiàn)貨出售

2018-07-17 15:53:51

Qorvo的RFPA1012是一款專為無線基礎(chǔ)設(shè)施高線性度應(yīng)用而設(shè)計的GaAs HBT線性功率放大器。這款高性能單級放大器采用高度可靠的GaAs HBT制造工藝，可在寬頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)超高線性度。

RFGA2054低成本高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現(xiàn)貨

2018-07-17 15:46:30

Qorvo的RFGA2054是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器。RFGA2054的內(nèi)部有源偏置電路允許放大器直接從5V電源工作，并提供穩(wěn)定的電流溫度和過程Beta變化。

RFGA2044高性能MMIC放大器 驅(qū)動放大器 Qorvo代理現(xiàn)貨

2018-07-17 15:40:30

Qorvo的RFGA2044是一款高性能InGaP HBT MMIC驅(qū)動放大器。RFGA2044的內(nèi)部有源偏置電路允許放大器直接在5V電源下工作，并提供穩(wěn)定的電流溫度和過程Beta變化。該達林頓放大器內(nèi)部匹配至50歐姆，非常適合需要占用空間小和外部元件極少的應(yīng)用。

MA4AGSW1A鋁鎵砷單極單擲（SPST）吸收式PIN二極管開關(guān) MACOM現(xiàn)貨代理商

2018-07-17 15:20:07

MACOM的MA4AGSW1A是一種鋁鎵砷單極單擲（SPST）吸收式PIN二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強型AlGaAs陽極，采用MACOM專利的異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。與使用傳統(tǒng)GaAs工藝制造的器件相比，AlGaAs技術(shù)產(chǎn)生的開關(guān)損耗更小。

MA4AGSW1鋁鎵砷單極單擲（SPST）PIN二極管開關(guān) MACOM現(xiàn)貨代理商

2018-07-17 14:57:00

MACOM的MA4AGSW1是一種鋁鎵砷單極單擲（SPST）PIN二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強型Al-GaAs陽極，采用MACOM專利的異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。該技術(shù)產(chǎn)生的開關(guān)損耗小于傳統(tǒng)的AlGaAs工藝。在50GHz時，可以實現(xiàn)0.3dB的插入損耗降低。

MAATCC0011塑料PQFN封裝6位數(shù)字衰減器 MACOM現(xiàn)貨代理商

2018-07-17 14:46:29

MACOM的MAATCC0011是一款具有集成TTL驅(qū)動器的GaAs FET 6位數(shù)字衰減器。步長為0.5 dB，總衰減范圍為31.5 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAATCC0011非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

MAATCC0010航空航天5位數(shù)字衰減器 MACOM現(xiàn)貨代理商

2018-07-17 14:40:11

MACOM的MAATCC0010是一款具有集成TTL驅(qū)動器的GaAs FET 5位數(shù)字衰減器。步長為1.0 dB，總衰減范圍為31 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAATCC0010非常適合用于需要精度，快速，極低功耗和低成本的場合。

MAATCC0009集成TTL驅(qū)動器的6位數(shù)字衰減器 MACOM現(xiàn)貨

2018-07-17 14:26:39

MACOM的MAATCC0009是一款具有集成TTL驅(qū)動器的GaAs FET 6位數(shù)字衰減器。步長為0.5 dB，總衰減范圍為31.5 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAATCC0009非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

MAATCC0008塑料封裝4位數(shù)字衰減器 MACOM現(xiàn)貨代理商

2018-07-17 14:16:26

MACOM的MAATCC0008是一款GaAs FET 4位數(shù)字衰減器，最小步長為1.0 dB，總衰減范圍為15 dB。該器件采用SOIC-16塑料表面貼裝封裝。MAATCC0008非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

MAATCC0007集成TTL驅(qū)動器GaAs FET 5位數(shù)字衰減器 MACOM現(xiàn)貨

2018-07-17 13:59:03

MACOM的MAATCC0007是一款具有集成TTL驅(qū)動器的GaAs FET 5位數(shù)字衰減器。步長為1.0 dB，總衰減范圍為31 dB。該器件采用SOW-16塑料表面貼裝封裝。MAATCC0007非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

MAATCC0006航空航天國防4位數(shù)字衰減器 MACOM現(xiàn)貨熱銷

2018-07-17 13:52:56

MACOM的MAATCC0006是一款GaAs FET 4位數(shù)字衰減器，最小步長為2.0 dB，總衰減范圍為30 dB。該器件采用SOIC-16塑料表面貼裝封裝。MAATCC0006非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

MAATCC0005寬體塑料表面貼裝封裝6位數(shù)字衰減器 MACOM現(xiàn)貨代理商

2018-07-17 13:48:01

MACOM的MAATCC0005是一款GaAs FET 6位數(shù)字衰減器，最小步長為0.5 dB，總衰減范圍為31.5 dB。該器件采用SOIC-24寬體塑料表面貼裝封裝。MAATCC0005非常適合需要精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

MAAD-011021寬帶6位數(shù)字衰減器 MACOM現(xiàn)貨代理商

2018-07-16 15:56:29

MAAD-011021是一款寬帶6位數(shù)字衰減器，覆蓋直流至30 GHz。衰減比特值為0.5 dB LSB（最低有效位），1,2,4,8和16 dB，總衰減為31.5 dB。衰減誤差通常小于+/- 0.5 dB，RMS相位誤差在20 GHz時小于5度，典型插入損耗在15 GHz時為7.2 dB。

AT-283-PIN陶瓷封裝5位數(shù)字衰減器貼片 MACOM現(xiàn)貨

2018-07-16 15:32:11

MACOM的AT-283-PIN是一款GaAs FET 5位數(shù)字衰減器，最小步長為0.5 dB，總衰減為15.5 dB。該衰減器和集成TTL驅(qū)動器采用密封陶瓷16引腳表面貼裝封裝。AT-283-PIN非常適用于需要精度，快速切換，極低功耗和低互調(diào)產(chǎn)品的場合

AT-233-PIN低功耗GaAs FET 4位數(shù)字衰減器 MACOM現(xiàn)貨

2018-07-16 15:26:09

MACOM的AT-233-PIN是一款GaAs FET 4位數(shù)字衰減器，最小步長為2 dB，總衰減為30 dB。該衰減器和集成TTL驅(qū)動器采用密封陶瓷16引腳表面貼裝封裝。AT-233-PIN非常適用于需要精度，快速切換，極低功耗和低互調(diào)產(chǎn)品的場合。