成人在线精品-成人在线精品视频-成人在线免费-成人在线免费播放-成人在线免费观看视频

Ka波段雷達寬帶功率放大器MAAP-015016-DIE

2018-11-29 15:57:00

Ka波段雷達寬帶功率放大器MAAP-015016-DIE，是一款工作頻率為32至38 GHz的寬帶功率放大器，飽和輸出功率為37 dBm，PAE為23％，信號增益小，為18 dB。

2.3 W Ka波段功率放大器MAAP-011298

2018-11-29 15:54:37

MAAP-011298是一款2.3瓦，4級Ka波段功率放大器，采用無鉛5 mm 32引腳AQFN塑料封裝。該功率放大器工作在27至31.5 GHz，提供24.5 dB線性增益，2.3 W飽和輸出功率和26％效率，同時偏置電壓為6 V. MAAP-011298可用作功率放大器級或驅動級更高功率的應用。

新型高線性度超寬帶0.5W GaAs分布式驅動器放大器工作在DC - 30 GHz

2018-11-29 14:43:16

CMD292是寬帶GaAs MMIC分布式驅動器放大器芯片，工作頻率范圍為DC至30 GHz。該放大器提供13 dB的增益，相應的輸出1 dB壓縮點為+27 dBm，輸出IP3為33 dBm（15 GHz）。CMD292采用50歐姆匹配設計，無需RF端口匹配。

L波段放大器_L波段功率放大器_L波段功率放大器芯片/模塊

2018-11-29 10:55:08

L波段放大器簡介：根據IEEE 521-2002標準，L波段是指頻率在1-2 GHz的無線電波波段(波長300.00 - 150.00 mm)，L波段功率放大器芯片/模塊在應用方面有電子戰（EW）、個人電腦基站、GPS應用、MMDS、無線局域網中繼器、14V應用、多頻段VSAT、蜂窩基礎設施基站等用途。

采用并聯獨立偏置門的帶OIP3＞50dBm的S波段GaN LNA

2018-11-29 10:48:48

采用并聯獨立偏置門的帶OIP3＞50dBm的S波段GaN LNA，aN器件具有與GaAs器件相當的噪聲系數，同時能夠承受非常高的輸入驅動器。本文介紹了2～4GHz(S波段)Pout～37dBm的GaN低噪聲放大器(LNA)、1．8～3．5dB噪聲系數(NF)和48～54dBm輸出參考三階截距點(OIP3)的設計。

GaN LNA中脈沖恢復時間的研究：第二部分

2018-11-28 15:09:20

GaN LNA中脈沖恢復時間的研究，基于我們之前關于脈沖恢復測試的博客，我們提供了具有5至9 GHz帶寬的市售GaN MMIC放大器的脈沖恢復時間測量。放大器組裝成金屬外殼，2.4 mm連接器用于連接測試設備。

GaN LNA中脈沖恢復時間的研究：第一部分

2018-11-28 15:04:33

GaN LNA中脈沖恢復時間，氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）因其高擊穿電壓和處理高RF功率的能力而以其在微波和毫米波功率放大器中的使用而眾所周知。最近，GaN技術也被用于在微波區域中創建低噪聲放大器（LNA），因為GaN的噪聲特性與其他半導體材料類似，最值得注意的是砷化鎵（GaAs）。

AM000100PM-BT_ 0.05GHz -100GHz 寬帶偏置TEE

2018-11-28 10:44:17

AMCOM的AM000 0100PM-BT是寬帶偏置TEE。在0.05GHz～10.0GHz頻段內，該電路插入損耗小于1.0dB，VSWR優于1.4：1。AM000100PM-BT是在一個小型鋁外殼與射頻輸入和輸出SMA連接器。偏置三通可以處理約1瓦的RF功率和可以有多達2.5A的直流電流。

10W的SPDT T / R開關DC – 11.0GHz——AM00011040TM-CM-R

2018-11-28 10:36:07

AMCOM的AM00011040TM-CM-R是一個寬帶SPDT的T/R電源開關在CM封裝。在0.05～11.0GHz頻段內，其插入損耗小于2.5dB，優于2:1VSWR。這種T/R開關在發射模式（TX ON）下可以處理多達15W的RF功率，在接收模式（RX ON）下可以處理多達1W的RF功率。

AM000100CP-20超寬帶20dB雙向定向耦合器DC-10GHz

2018-11-28 10:22:59

AMCOM的AM000100CP - 20是一種雙向雙向耦合。It has 2.5DB插入loss and 21 DB耦合到0.002 to 10ghz Band .與SMA連接器有關的AM000100CP - 20在鋁合金中的包裝

AM000100DP-20超寬帶20dB雙向耦合器DC-10GHz

2018-11-28 10:17:31

AMCOM的AM0001000-20是一種雙向雙向耦合器。它有3到5DB插入LOSS和21 DB耦合到0.002到10Ghz Band。本發明的A000100DP - 20是在一個與SMA連接的鋁管中包裝的。

M0040PM-VVP無源模塊電壓控制相位移相器2-5GHz

2018-11-28 10:10:23

AMCOM的AM0040PM-VVP是一個連接的，完全匹配的電壓控制相位移相器模塊。它具有從2到5 GHz的寬的頻率范圍。該控制簡單地通過改變0至25伏特的直流輸入電壓（Vctrl）來實現。

AM0040PM-VVA無源模塊電壓控制衰減器DC-4GHz

2018-11-28 10:04:01

MCOM的AM0040PM-VVA是一個連接的，完全匹配的電壓控制衰減器模塊。它具有從DC到4 GHz的寬的頻率范圍。它還具有高線性性能。該控制僅通過改變1-5伏特的直流輸入電壓（Vctrl）來實現。此外，該模塊需要2.7V的外部固定電源電壓(V.)。

MAAD-007082-000100集成TTL驅動器GaAs FET 6位數字衰減器

2018-11-27 16:14:15

MACOM的MAAD-007082-000100是一款具有集成TTL驅動器的GaAs FET 6位數字衰減器。步長為1 dB，總衰減范圍為50 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAAD-007082-000100非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

TTL驅動器5位數字衰減器MAAD-007081-000100

2018-11-27 16:07:58

MACOM的MAAD-007081-000100是一款具有集成TTL驅動器的GaAs FET 5位數字衰減器。步長為0.5 dB，總衰減范圍為15.5 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAAD-007081-000100非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

6位數字衰減器集成TTL驅動器MAAD-007080-000100

2018-11-27 16:02:07

MACOM的MAAD-007080-000100是一款具有集成TTL驅動器的GaAs FET 6位數字衰減器。步長為1 dB，總衰減范圍為50 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAAD-007080-000100非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

集成驅動器4位數字衰減器MAAD-007079-000100

2018-11-27 15:54:59

MACOM的MAAD-007079-000100是一款具有集成驅動器的GaAs FET 4位數字衰減器。步長為2 dB，衰減范圍為30 dB。該器件采用FQFP-N塑料表面貼裝封裝。

集成TTL驅動器MAAD-007078-000100數字衰減器 macom現貨代理

2018-11-27 15:30:17

MACOM的MAAD-007078-000100是一款具有集成TTL驅動器的GaAs FET 5位數字衰減器。步長為1.0 dB，總衰減范圍為31 dB。該器件采用FQFP-N塑料表面貼裝封裝。

集成驅動器GaAs FET 4位數字衰減器MAAD-007077-000100

2018-11-27 15:23:05

MACOM的MAAD-007077-000100是一款具有集成驅動器的GaAs FET 4位數字衰減器。步長為1 dB，提供15 dB衰減范圍。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAAD-007077-000100適用于需要精度，快速，低功耗和低成本的單電源應用。

6位步進式GaAs MMIC數字衰減器MAAD-000523

2018-11-27 15:15:51

MAAD-000523是一款6位，0.5 dB步進式GaAs MMIC數字衰減器，采用無鉛4 mm 24引腳PQFN表面貼裝塑料封裝。該器件非常適用于需要高精度，低功耗和低互調產品的場合。典型應用包括蜂窩基站RX / TX陣容，Femtocell和其他增益/電平控制電路。

精密接收器電路GaAs FET數字衰減器AT20-0273——MACOM代理現貨

2018-11-27 15:13:16

MACOM的AT20-0273是一款GaAs FET數字衰減器，最小步長為16 dB，總衰減為32 dB。該衰減器和集成TTL驅動器采用密封陶瓷16引腳表面貼裝封裝。AT20-0273非常適用于需要精度，快速開關，極低功耗和低互調產品的場合。

Anaren微型星形耦合器1M803現貨

2018-11-26 16:10:17

1M803微型星形耦合器是一個低輪廓，微型3dB混合耦合器在一個易于使用的表面安裝封裝設計U-NII，ISM和超局域網應用。1M803是為均衡放大器和信號分配而設計的，是無線工業對小型印刷電路板和高性能不斷增長的需求的理想解決方案。零件經過嚴格的質量檢驗和單元100%的檢驗。

470～860兆赫90度混合耦合器1F1304-3S

2018-11-26 14:54:25

1F1304-3S是一個低剖面3dB混合耦合器在一個易于使用的表面貼裝封裝覆蓋470至860兆赫。該1F1304-3S是理想的平衡放大器和信號分布，并可用于大多數高功率設計。零件經過嚴格的質量檢驗和單元100%的檢驗。

1.20—1.85 GHz低剖面3dB混合耦合器1E1305-3

2018-11-26 14:05:13

1E1305-3是一個低剖面3dB混合耦合器在一個易于使用的表面安裝封裝覆蓋日本PDC帶寬。1E1305-3是平衡放大器和信號分配的理想選擇，可用于大多數高功率設計。零件經過嚴格的質量檢驗和單元100%的檢驗。

Anaren平衡放大器耦合器11306-3

2018-11-26 14:01:08

11306-3是一個低剖面3dB混合耦合器在一個易于使用的表面安裝封裝覆蓋2.0到4.0GHz。11306-3是理想的平衡放大器和信號分布，可用于大多數高功率設計。零件經過嚴格的質量檢驗和單元100%的檢驗。

1—2 GHz混合耦合器11305-3S——Anaren代理現貨

2018-11-26 11:28:47

11305-3S是低剖面3dB混合耦合器，在易于使用的表面安裝封裝覆蓋1.0至2.0GHz。11305-3S是平衡放大器和信號分配的理想選擇，可用于大多數高功率設計。零件經過嚴格的質量檢驗和單元100%的檢驗。

500—1000兆赫混合耦合器11304-3S——Anaren代理現貨

2018-11-26 11:19:06

500—1000兆赫混合耦合器11304-3S，是低剖面3dB混合耦合器，在易于使用的表面安裝封裝覆蓋500至1000MHz。11304-3S是平衡放大器和信號分配的理想選擇，可用于大多數高功率設計。

低剖面3dB混合耦合器11303-3——Anaren現貨

2018-11-26 11:15:08

11303-3是低剖面3dB混合耦合器，在易于使用的表面安裝封裝覆蓋NMT 450波段。11303-3是理想的平衡放大器和信號分布，可用于大多數高功率設計。零件經過嚴格的質量檢驗和單元100%的檢驗。

Anaren低剖面90度混合耦合器11302-3

2018-11-26 11:11:18

11302-3是一個低剖面3dB混合耦合器在一個易于使用的表面安裝封裝的應用在225-400MHz頻段。11302-3是平衡放大器和信號分配的理想選擇，也是越來越小的印刷電路板需求的理想解決方案。

GaAs FET 5位數字衰減器AT20-0263

2018-11-23 17:20:21

MACOM的AT20-0263是一款GaAs FET 5位數字衰減器，最小步長為1 dB，總衰減為31 dB。該衰減器和集成TTL驅動器采用陶瓷16引腳表面貼裝封裝。AT20-0263非常適用于需要精度，快速開關，極低功耗和低互調產品的場合。