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C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R。HIFET是部分匹配的專利設備配置，用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6 GHz。它也是更大功率器件的理想驅動器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R，這一部分的總閘門寬度為30mm。AM300 MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直立的引線和凸緣的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R，這一部分的總閘門寬度為20mm。AM200 MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列是一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直線式引線和凸緣安裝式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R ，這一部分的總柵極寬度為15mm。AM150 MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列是一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直線式引線和凸緣安裝式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R，這一部分的總柵極寬度為10mm。AM100MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列是一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直線式引線和凸緣安裝式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R，這部分有一個全面的研究7.2mm門的寬度。在AM072MX-CU-R是自行設計的用于高功率微波應用，操作到6GHz。研究銅系列的照片，是在一個自行設計的陶瓷包裝與直導和Cu / W的蓋在一個下拉的安裝方式。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R，這一部分的總柵極寬度為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R ，這一部分的總柵極寬度為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。QG系列是一個塑料封裝，所有引腳彎曲的表面安裝風格的PC板。封裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R，這一部分的總柵極寬度為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。QG系列是一個塑料封裝，所有引腳彎曲的表面安裝風格的PC板。封裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R，這一部分的總柵極寬度為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。QG系列是一個塑料封裝，所有引腳彎曲的表面安裝風格的PC板。封裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R，其總柵極寬度為0.5mm。這是一個裸模，可以運行到18千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為33.4 dBm。它可用于低噪聲、高動態范圍的接收機和高功率發射機的驅動器。這部分是符合RoHS標準的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59

S波段C波段X波段Ku波段K波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K波段）GaN低噪聲放大器MMIC，。該寬帶器件非常適合要求低噪聲系數性能和高輸入功率生存能力的應用。CMD290提供12.5 dB的增益，相應的噪聲系數為2.3 dB，13 GHz時的輸出1 dB壓縮點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片，是一款高動態范圍GaAs MMIC低噪聲放大器，非常適用于軍事，空間和通信系統，其中小尺寸和高線性度是關鍵設計要求。該器件針對21 GHz進行了優化，可提供超過24 dB的增益，相應的輸出1 dB壓縮點為+19 dBm，噪聲系數為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R，其總柵極寬度為2.5mm（兩個1.25mm的FET并聯）。這是一個裸模，可以運行到15千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R，其總柵極寬度為10mm（八個1.25mm的FET并聯）。這是一個裸模，可以運行到15千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R，其總柵極寬度為0.5mm。它在陶瓷封裝中運行可達12 GHz。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R，是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬度為1.25mm。它是在陶瓷BI封裝，運行高達10千兆赫。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R，是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬度為2.5mm。它在陶瓷封裝中運行可達8 GHz。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R，這個部分的總柵極寬度為10毫米。AM100WN-CU-R是專門為高功率微波應用設計的，工作頻率可達6GHz。CU系列是專門設計的陶瓷封裝，具有直引線和插裝式法蘭。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz，這個部分的總柵極寬度是5mm。AM050WN-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率可達6GHz。CU系列是專門設計的陶瓷封裝，具有直引線和落地式法蘭。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

軍用雷達系統Ka波段功率放大器模塊AM30040031SF-3H

2018-10-30 17:11:56

軍用雷達系統Ka波段功率放大器模塊AM30040031SF-3H，

雷達X波段功率放大器模塊Ku波段功率放大器模塊AM08513241SF-3H

2018-10-30 17:08:41

雷達X波段功率放大器模塊Ku波段功率放大器模塊AM08513241SF-3H，它是為通用的應用而設計的。它工作在8.5GHz到13.2GHz之間，通常為頻帶（9到11GHz）提供14瓦（41.5dBm）的連續波輸出功率，為頻帶（11.5到13GHz）提供8瓦（39dBm）的連續波輸出功率，具有25dB的小信號增益。

X波段功率放大器模塊AM07511242SF-3H

2018-10-30 17:04:28

X波段功率放大器模塊AM07511242SF-3H，它是為通用的應用而設計的。它的工作從7.5GHz到112GHz，通常提供14瓦（41.5 dBm）的連續波輸出功率和22.5dB小信號增益。放大器模塊有6個螺栓槽用于安裝到散熱器，并使用單+12V至+15V電源操作。

S波段2級功率放大器模塊AM343635SF-2H

2018-10-30 17:00:48

S波段2級功率放大器模塊AM343635SF-2H，

S波段功率放大器雙向無線電AM324036SF-3H

2018-10-30 16:49:38

S波段功率放大器雙向無線電AM324036SF-3H ，它的工作從3.2 GHz到4.2GHz，通常提供超過3.2瓦（35dBm）連續波輸出功率和29分貝小信號增益。該模塊具有內置直流電壓調節器和負電壓發生器。它可以偏置從12V到20V的單電壓供電。

寬帶無線接入S波段功率放大器模塊AM304031SF-3H

2018-10-30 16:47:28

寬帶無線接入S波段功率放大器模塊AM304031SF-3H，它的工作從2.6GHz到4.6GHz，通常提供超過1.25瓦（31 dBm）連續波輸出功率和29分貝小信號增益。該模塊具有內置直流電壓調節器和負電壓發生器。

AM273545SF-6H功率放大器模塊S波段功率放大器

2018-10-29 16:57:48

AM273545SF-6H功率放大器模塊S波段功率放大器，用于無線互聯網接入、無線本地環路和雙向無線電。它的工作從2.7GHz到3.5GHz，通常提供超過30瓦（45 dBm）連續波輸出功率和50dB小信號增益。該模塊內置負電壓發生器。它可以偏置從+11V到+12V單電壓供電。