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Ka波段驅(qū)動放大器HMC-AUH256/HMC-AUH256-SX ADI現(xiàn)貨代理

2018-12-03 11:18:50

HMC-AUH256是一款Ka波段GaAs MMIC HEMT四級驅(qū)動放大器，工作頻率范圍17.5至41 GHz。 由于尺寸較小(1.93 mm2)，該芯片可輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。 HMC-AUH256在1 dB壓縮點提供21 dB的增益和+20 dBm的輸出功率，使用+5V的偏置電源（295 mA）。

C波段功率放大器5.6-7.1 GHz線性功率放大器XP1039-QJ

2018-11-30 17:01:16

XP1039-QJ是一款封裝的線性C波段功率放大器，工作頻率為5.6-7.1 GHz。該器件提供17 dB增益和48 dBm輸出三階截取點（OIP3）。封裝放大器采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，全模壓6 mm QFN封裝，由兩級功率放大器和集成的溫度補償片上功率檢測器組成。

C波段放大器5.9-9.5 GHz線性功率放大器XP1035-QH

2018-11-30 16:56:20

XP1035-QH是一款封裝的C波段線性功率放大器，工作在5.9-9.5 GHz頻段。該器件在整個頻段內(nèi)提供26 dB增益和39 dBm輸出三階截取點（OIP3），采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，全模壓4x4mm QFN封裝。封裝放大器由三級功率放大器和集成的溫度補償片上功率檢測器組成。

Ka波段放大器XP1031-QK四級37.0-40.0 GHz SMD GaAs MMIC功率放大器

2018-11-30 16:53:49

MACOM的Ka波段放大器XP1031-QK??四級37.0-40.0 GHz SMD GaAs MMIC功率放大器具有25.0 dB的小信號增益和+35.5 dBm輸出三階截取。該MMIC采用M / A-COM Tech的GaAs PHEMT器件模型技術(shù)，基于電子束光刻技術(shù)，確保高重復(fù)性和均勻性。

Ka波段功率放大器芯片XP1018-BD四級37.0-42.0 GHz GaAs MMIC功率放大器

2018-11-30 16:12:20

MACOM的XP1018-BD四級37.0-42.0 GHz GaAs MMIC功率放大器具有26.0 dB的小信號增益和P1dB輸出壓縮點+25.0 dBm。該MMIC采用MACOM的GaAs PHEMT器件模型技術(shù)，基于電子束光刻技術(shù)，確保高重復(fù)性和均勻性。

K波段放大器芯片MAAP-118260線性功率放大器

2018-11-30 15:57:47

K波段放大器芯片MAAP-118260是一款封裝的線性功率放大器，工作頻率范圍為17.7 - 26.5 GHz。該器件提供28.5 dB增益和37.0 dBm輸出三階截取點（OIP3），輸出P1dB超過28.5 dBm。該功率放大器采用無鉛，完全模制的5 mm，24引腳QFN封裝，由四級功率放大器和集成的片上功率和包絡(luò)檢測器組成。

蜂窩回程線性Ku波段功率放大器MAAP-110150

2018-11-30 15:55:20

MAAP-110150是一款封裝的線性Ku波段功率放大器，工作頻率范圍為10.0 - 15.35 GHz。該器件通常提供30 dB增益和40 dBm OIP3，輸出電壓超過31 dBm P1dB。該功率放大器采用無鉛，完全模制的5 mm QFN封裝，由3級功率放大器和集成的片上峰值功率檢測器和包絡(luò)檢波器組成。

K波段線性功率放大器MAAP-018260

2018-11-29 16:49:00

MAAP-018260是一款K波段?封裝的線性功率放大器，工作頻率范圍為17.7 - 26.5 GHz。該器件提供27 dB增益和40 dBm OIP3，輸出電壓超過30 dBm P1dB。該功率放大器采用無鉛，完全模制的5 mm QFN封裝，由四級功率放大器和集成的片上功率和包絡(luò)檢波器組成。

X波段放大器雷達15W功率放大器MAAP-015036

2018-11-29 16:45:36

X波段放大器雷達15W功率放大器MAAP-015036，是一款兩級GaAs MMIC功率放大器，工作頻率為8.5 - 10.5 GHz，飽和脈沖輸出功率為42 dBm，大信號增益為18 dB。

雷達通信系統(tǒng)X波段功率放大器MAAP-015030 MACOM現(xiàn)貨

2018-11-29 16:03:02

雷達通信系統(tǒng)X波段功率放大器MAAP-015030，兩級8.5 - 11.75 GHz GaAs MMIC功率放大器具有41dBm的飽和脈沖輸出功率，21dB的大信號增益和40％的功率附加效率。

Ka波段雷達寬帶功率放大器MAAP-015016-DIE

2018-11-29 15:57:00

Ka波段雷達寬帶功率放大器MAAP-015016-DIE，是一款工作頻率為32至38 GHz的寬帶功率放大器，飽和輸出功率為37 dBm，PAE為23％，信號增益小，為18 dB。

2.3 W Ka波段功率放大器MAAP-011298

2018-11-29 15:54:37

MAAP-011298是一款2.3瓦，4級Ka波段功率放大器，采用無鉛5 mm 32引腳AQFN塑料封裝。該功率放大器工作在27至31.5 GHz，提供24.5 dB線性增益，2.3 W飽和輸出功率和26％效率，同時偏置電壓為6 V. MAAP-011298可用作功率放大器級或驅(qū)動級更高功率的應(yīng)用。

新型高線性度超寬帶0.5W GaAs分布式驅(qū)動器放大器工作在DC - 30 GHz

2018-11-29 14:43:16

CMD292是寬帶GaAs MMIC分布式驅(qū)動器放大器芯片，工作頻率范圍為DC至30 GHz。該放大器提供13 dB的增益，相應(yīng)的輸出1 dB壓縮點為+27 dBm，輸出IP3為33 dBm（15 GHz）。CMD292采用50歐姆匹配設(shè)計，無需RF端口匹配。

L波段放大器_L波段功率放大器_L波段功率放大器芯片/模塊

2018-11-29 10:55:08

L波段放大器簡介：根據(jù)IEEE 521-2002標(biāo)準(zhǔn)，L波段是指頻率在1-2 GHz的無線電波波段(波長300.00 - 150.00 mm)，L波段功率放大器芯片/模塊在應(yīng)用方面有電子戰(zhàn)（EW）、個人電腦基站、GPS應(yīng)用、MMDS、無線局域網(wǎng)中繼器、14V應(yīng)用、多頻段VSAT、蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施基站等用途。

采用并聯(lián)獨立偏置門的帶OIP3＞50dBm的S波段GaN LNA

2018-11-29 10:48:48

采用并聯(lián)獨立偏置門的帶OIP3＞50dBm的S波段GaN LNA，aN器件具有與GaAs器件相當(dāng)?shù)脑肼曄禂?shù)，同時能夠承受非常高的輸入驅(qū)動器。本文介紹了2～4GHz(S波段)Pout～37dBm的GaN低噪聲放大器(LNA)、1．8～3．5dB噪聲系數(shù)(NF)和48～54dBm輸出參考三階截距點(OIP3)的設(shè)計。

GaN LNA中脈沖恢復(fù)時間的研究：第二部分

2018-11-28 15:09:20

GaN LNA中脈沖恢復(fù)時間的研究，基于我們之前關(guān)于脈沖恢復(fù)測試的博客，我們提供了具有5至9 GHz帶寬的市售GaN MMIC放大器的脈沖恢復(fù)時間測量。放大器組裝成金屬外殼，2.4 mm連接器用于連接測試設(shè)備。

GaN LNA中脈沖恢復(fù)時間的研究：第一部分

2018-11-28 15:04:33

GaN LNA中脈沖恢復(fù)時間，氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）因其高擊穿電壓和處理高RF功率的能力而以其在微波和毫米波功率放大器中的使用而眾所周知。最近，GaN技術(shù)也被用于在微波區(qū)域中創(chuàng)建低噪聲放大器（LNA），因為GaN的噪聲特性與其他半導(dǎo)體材料類似，最值得注意的是砷化鎵（GaAs）。

AM000100PM-BT_ 0.05GHz -100GHz 寬帶偏置TEE

2018-11-28 10:44:17

AMCOM的AM000 0100PM-BT是寬帶偏置TEE。在0.05GHz～10.0GHz頻段內(nèi)，該電路插入損耗小于1.0dB，VSWR優(yōu)于1.4：1。AM000100PM-BT是在一個小型鋁外殼與射頻輸入和輸出SMA連接器。偏置三通可以處理約1瓦的RF功率和可以有多達2.5A的直流電流。

10W的SPDT T / R開關(guān)DC – 11.0GHz——AM00011040TM-CM-R

2018-11-28 10:36:07

AMCOM的AM00011040TM-CM-R是一個寬帶SPDT的T/R電源開關(guān)在CM封裝。在0.05～11.0GHz頻段內(nèi)，其插入損耗小于2.5dB，優(yōu)于2:1VSWR。這種T/R開關(guān)在發(fā)射模式（TX ON）下可以處理多達15W的RF功率，在接收模式（RX ON）下可以處理多達1W的RF功率。

AM000100CP-20超寬帶20dB雙向定向耦合器DC-10GHz

2018-11-28 10:22:59

AMCOM的AM000100CP - 20是一種雙向雙向耦合。It has 2.5DB插入loss and 21 DB耦合到0.002 to 10ghz Band .與SMA連接器有關(guān)的AM000100CP - 20在鋁合金中的包裝

AM000100DP-20超寬帶20dB雙向耦合器DC-10GHz

2018-11-28 10:17:31

AMCOM的AM0001000-20是一種雙向雙向耦合器。它有3到5DB插入LOSS和21 DB耦合到0.002到10Ghz Band。本發(fā)明的A000100DP - 20是在一個與SMA連接的鋁管中包裝的。

M0040PM-VVP無源模塊電壓控制相位移相器2-5GHz

2018-11-28 10:10:23

AMCOM的AM0040PM-VVP是一個連接的，完全匹配的電壓控制相位移相器模塊。它具有從2到5 GHz的寬的頻率范圍。該控制簡單地通過改變0至25伏特的直流輸入電壓（Vctrl）來實現(xiàn)。

AM0040PM-VVA無源模塊電壓控制衰減器DC-4GHz

2018-11-28 10:04:01

MCOM的AM0040PM-VVA是一個連接的，完全匹配的電壓控制衰減器模塊。它具有從DC到4 GHz的寬的頻率范圍。它還具有高線性性能。該控制僅通過改變1-5伏特的直流輸入電壓（Vctrl）來實現(xiàn)。此外，該模塊需要2.7V的外部固定電源電壓(V.)。

MAAD-007082-000100集成TTL驅(qū)動器GaAs FET 6位數(shù)字衰減器

2018-11-27 16:14:15

MACOM的MAAD-007082-000100是一款具有集成TTL驅(qū)動器的GaAs FET 6位數(shù)字衰減器。步長為1 dB，總衰減范圍為50 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAAD-007082-000100非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

TTL驅(qū)動器5位數(shù)字衰減器MAAD-007081-000100

2018-11-27 16:07:58

MACOM的MAAD-007081-000100是一款具有集成TTL驅(qū)動器的GaAs FET 5位數(shù)字衰減器。步長為0.5 dB，總衰減范圍為15.5 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAAD-007081-000100非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

6位數(shù)字衰減器集成TTL驅(qū)動器MAAD-007080-000100

2018-11-27 16:02:07

MACOM的MAAD-007080-000100是一款具有集成TTL驅(qū)動器的GaAs FET 6位數(shù)字衰減器。步長為1 dB，總衰減范圍為50 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAAD-007080-000100非常適用于要求精度，速度快，功耗極低和成本低的場合。

集成驅(qū)動器4位數(shù)字衰減器MAAD-007079-000100

2018-11-27 15:54:59

MACOM的MAAD-007079-000100是一款具有集成驅(qū)動器的GaAs FET 4位數(shù)字衰減器。步長為2 dB，衰減范圍為30 dB。該器件采用FQFP-N塑料表面貼裝封裝。

集成TTL驅(qū)動器MAAD-007078-000100數(shù)字衰減器 macom現(xiàn)貨代理

2018-11-27 15:30:17

MACOM的MAAD-007078-000100是一款具有集成TTL驅(qū)動器的GaAs FET 5位數(shù)字衰減器。步長為1.0 dB，總衰減范圍為31 dB。該器件采用FQFP-N塑料表面貼裝封裝。

集成驅(qū)動器GaAs FET 4位數(shù)字衰減器MAAD-007077-000100

2018-11-27 15:23:05

MACOM的MAAD-007077-000100是一款具有集成驅(qū)動器的GaAs FET 4位數(shù)字衰減器。步長為1 dB，提供15 dB衰減范圍。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAAD-007077-000100適用于需要精度，快速，低功耗和低成本的單電源應(yīng)用。

6位步進式GaAs MMIC數(shù)字衰減器MAAD-000523

2018-11-27 15:15:51

MAAD-000523是一款6位，0.5 dB步進式GaAs MMIC數(shù)字衰減器，采用無鉛4 mm 24引腳PQFN表面貼裝塑料封裝。該器件非常適用于需要高精度，低功耗和低互調(diào)產(chǎn)品的場合。典型應(yīng)用包括蜂窩基站RX / TX陣容，F(xiàn)emtocell和其他增益/電平控制電路。