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900 V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-17 11:21:28

CREE擴展了其在碳化硅（SiC）技術中的主導地位，低電感分立封裝具備寬沿面和漏極與源極之間的空隙距離（~8mm）。900 V分立碳化硅MOSFET靈活運用最新的MOSFET

?MAAM-011305-DIE寬帶低噪聲增益模塊

2024-12-13 17:14:12

?MAAM-011305-DIE是款寬帶高動態范圍單級MMIC LNA。寬度為0.795 x 0.66 mm。MAAM-011305-DIE放大器內部適配，不需要任何外部適配模塊，就可以提供平整的增益和8 GHz的優良回波損耗。只需隔直電容器和帶旁路電容的射頻扼流線圈。

?NBB-312級聯寬帶GaAs MMIC放大器DC至12GHz

2024-12-13 17:12:21

NBB-312級聯寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-312根據安全可靠的HBT特有MMIC設計，為小信號應用提供了前所未有的性能指標。

?RFLUPA0030G10A L,S波段超寬帶功率放大器

2024-12-13 17:10:07

RF Lambda的RFLUPA0030G10A是L,S波段超寬頻功率放大器，適合用在各式各樣無線通信網絡和國防安全應用領域，RFLUPA0030G10A頻率范圍在0.02GHz至3GHz。

?CMD244K5 L,S,C,X,Ku和K波段分布式驅動放大器

2024-12-13 17:07:39

Qorvo的CMD244K5是款寬帶GaAs MMIC分布式驅動放大器，頻率范圍從DC到20 GHz，使用無導線表面貼裝封裝形式。

AM012514XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-13 17:06:24

?AMCOM的AM012514XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM012514XD-P3的LO驅動電平范圍包括+14dBm至+20dBm。

?CHA2190-99F K,Ka波段低噪聲放大器

2024-12-12 17:27:45

CHA2190-99F是款兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。CHA2190-99F使用標準的pHEMT制造技術：柵極尺寸為0.25μm，根據基板上的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術。CHA2190-99F以芯片形式提供。

?1700 V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-12 17:26:18

CREE的1700 V碳化硅（SiC）MOSFET能夠實現相對較小、高效率的功率轉換系統。與硅基處理方式相比較，CREE碳化硅技術能夠提高系統功率密度、較高的工作頻率、較小的結構設計、更冷門的的模塊、較小的模塊規格（電感器、電容器、濾波器和變壓器）和整體成本效率。

?RLC Electronics寬帶肖特基和隧道二極管探測器

2024-12-11 17:24:10

RLC Electronics寬帶肖特基和隧道二極管探測器通常用于同軸系統，在10 MHz至18.0 GHz的頻率范圍內檢測高至100 mW的相應微波功率。

?Q20HA-9500R寬帶雙向耦合器

2024-12-11 17:22:03

Q20HA-9500R是款寬帶雙向耦合器，具有高專一性和高功率處理效率。Q20HA-9500R定向耦合器具有低插入損耗、高功率性能、高專一性、小封裝中的平整耦合電路。

?IS-3.000射頻隔離器2.000-4.000 GHz

2024-12-11 17:20:19

MECA提供的IS-3.000隔離器選用SMA母連接器，均值額定功率為30瓦，工作頻段為2.000-4.000 GHz。提供適合IP 67標準的隔離器。

?NBB-310級聯寬帶GaAs MMIC放大器

2024-12-11 17:15:58

Qorvo的NBB-310級聯寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器使用需求。

?AM012509XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-11 17:14:48

AMCOM的AM012509XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM012509XD-P3的LO驅動電平范圍在+10dBm至+16dBm。

?CHA2193-99F K,Ka波段低噪聲放大器

2024-12-10 17:10:14

CHA2193-99F是款三級低噪聲放大器。芯片的背面是射頻和直流接地。有利于優化安裝過程。CHA2193-99F致力于從國防軍事到商業服務通訊系統的普遍使用需求設計。

1200V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-10 17:09:20

CREE的1200 V碳化硅（SiC）MOSFET系列對應高功率應用進行優化，如應急電源（UPS）、電機控制系統和驅動器、開關電源電路、儲能設備、新能源電動車快充、高壓DC/DC轉換器等。

?2413帶通濾波器KR Electronics

2024-12-09 17:08:22

KR 2413是一個400Hz帶通濾波器。通常適用于PCB封裝，其他通帶頻率均可用。

?SemiGen電感器線圈

2024-12-09 17:07:33

SemiGen的電感線圈通常是在石英基板上采用薄膜工藝制造的。高精密光刻技術和非化學蝕刻技術提供整潔的邊緣，以保障電磁線圈之間的均勻度。

?AN-x3A低G靈敏度的超低相位噪聲VCO

2024-12-09 17:06:20

NEL Frequency Controls的AN-x3A低G靈敏度的超低相位噪聲特別適合在具有震動或加速度的條件下需要具備超低相位噪聲的壓控晶體振蕩器（VCXO）的應用。

?NBB-300級聯寬帶GaAs MMIC放大器

2024-12-09 17:04:33

Qorvo的NBB-300級聯寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器使用需求。

?AM011714XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-09 17:02:47

AMCOM的AM011714XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM011714XD-P3 LO驅動電平范圍包括+14dBm至+20dBm。

?CHA5350-99F Ku,K波段中功率放大器

2024-12-06 17:04:07

CHA5350-99F是一種四級單片MPA，通常是在1dB增益值壓縮下具備26.5dBm的輸出功率，與34dBm的高IP3輸出相關。

650V、750V和1200V E系列分立碳化硅功率MOSFET CREE

2024-12-06 17:01:52

CREE通過發布碳化硅（SiC）MOSFET的E系列產品線，增加了CREE在碳化硅行業中的領先地位；汽車符合標準；具備PPAP性能和耐潮濕MOSFET。

?ATM Microwave同軸輸入高增益喇叭天線

2024-12-05 16:45:12

ATM Microwave生產制造高質量的高增益喇叭天線，具備線性電極化、質量輕和抗腐蝕性。

?Mi-Wave射頻寬帶壓控振蕩器VCO

2024-12-05 16:44:15

Mi-Wave的840系列電壓控制電源具備18至110Ghz的頻率。射頻寬帶壓控振蕩器主要用作調配發射器或本地振蕩器。常見的應用包括雷達探測、頻偏源和電力網絡。

CERNEX寬帶臺式放大器（低噪聲和低功耗）

2024-12-05 16:42:59

CERNEX的寬帶臺式放大器通常用于各種通用型技術應用，如實驗測試機械設備、儀器和其他應用。使用穩固的帶狀線系統結構，相結合所選擇的GAsFET、PHEMT和MIMIC，實現安全可靠的運行。

AG302-63G射頻放大器Qorvo

2024-12-05 16:42:06

Qorvo的AG302-63G是款通用型緩沖功率放大器，選用降低成本表面貼裝技術封裝，提供高動態范圍。在900 MHz時，AG302-63G通常提供15.5 dB增益值、+26 dBm OIP3和+13.5 dBm P1dB。

AM011001XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-05 16:41:08

AMCOM的AM001005XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM011001XD-P3的LO驅動電平范圍包括+7dBm至+13dBm。

?CHA2090-99F Ku,K波段低噪聲放大器

2024-12-04 17:07:06

CHA2090-99F是款三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。CHA2090-99F使用標準的0.25μm柵極尺寸pHEMT工藝技術，根據基材上的孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術。

?650V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-04 17:05:57

CREE研發了第三代650V分立碳化硅，增加了碳化硅（SiC）技術的領先地位；實現更小；更簡易；以及在更大范圍電力系統中實現精準的電力轉換。

?PS2-68/NF帶狀線2路電源分配器

2024-12-03 17:15:10

PS2-68/NF帶狀線2路電源分配器具備優異的規格參數，提供網絡光纖頻率范圍、高隔離、低插入損耗、低VSWR、低頻率和高功率解決方案。