Qorvo的TGA4522-XCC-2是款適合用在Ka波段和Q波段應用的緊湊型驅動放大器MMIC。TGA4522-XCC-2選用Qorvo的0.15um功率pHEMT工藝技術。
AMCOM的AM002706XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器,AM002706XD-P3的LO驅動電平范圍包括+7dBm至+13dBm。
?B0310J50100AHF是Anaren的一款成本更低、低剖面的亞微型不平衡到平衡變壓器,致力于現代化處理器上的差分輸入輸出位置設計,選用簡單易用的表面貼裝技術。.
Aeroflex-Weinschel固定衰減器頻帶控制提供普遍的寬帶微波射頻衰減器選擇,頻率范圍為50 GHz(DC),功率處理高達1000瓦。
KRYTAR的110046010強化了多功能帶狀線設計的選擇,應用在10.0至46.0 GHz的寬帶工作頻段內具有卓越的耦合性能,而且封裝緊湊輕便。
CHA5014-99F致力于X波段應用開發的單片兩級中等功率放大器。CHA5014-99F主要用于需要對溫度弱敏感的輸出功率的系統。
GTRB246608FC-V1是CREE的一款500瓦(P4dB)的SiC上GaN高電子遷移率晶體管(HEMT),致力于多標準蜂窩狀功率放大器應用需求設計。
Qorvo的TGA4509是款Ka波段封裝1W功率放大器。TGA4509的頻率范圍為28-31GHz,選用Qorvo的功率pHEMT工藝優化。
AMCOM的AM002515XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器,AM002515XD-P3驅動電平范圍包括+15dBm至+20dBm。
?NOVA射頻微波提供1.805-17.700GHz插入式循環器,主要用于連接通信網絡技術應用,國防軍事應用,蜂窩網絡和無線行業市場。
SOUTHWEST西南微波?1492-04A-5共面板上的端部發射連接器下面是0.008英寸Rogers RO4003共面板上兩個1492-04A-5端部發射接頭在50 GHz下的測試結果。
CGHV60170D是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優異的性能;包含較高的擊穿場強;
CHA8710-QDB是款頻率在8.5至10.5GHz之間的兩級高功率放大器,一般具備25W的飽和輸出功率和41%的功率附加效率。
GTRA184602FC是款460瓦(P3dB)GaN-on-SiC HEMT D模式放大器,致力于多標準蜂窩狀功率放大器技術應用需求設計。其具備輸入匹配、高效率和無軸環熱增強封裝的特性。
QPA9822是款寬帶寬、高增益和高線性度的驅動放大器。在3.5GHz下具備39dB增益值,高達28dBm的P1dB。QPA9822通常用于解決寬帶寬5G NR瞬時信號頻率,使其特別適合mMIMO技術應用。
AMCOM的AM002509XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器,其LO驅動電平范圍在+10dBm至+16dBm。
RF Lambda的RFLUPA00G22GA 是L波段寬帶功率放大器,通常用在各種各樣無線通信系統和國防軍事應用領域,RFLUPA00G22GA頻率范圍在0.01000至22.000GHz。
Qorvo的CMD240C4是款寬帶GaAs MMIC分布式放大器,使用無導線4x4mm表面貼裝技術封裝。
?RLC Electronics的微型超平面探測器選用零偏壓肖特基設計方案。微波功率電容耦合到極低的器件,降低了封裝不足和過度分配。
?CHA5115-QDG是UMS的一款致力于X波段設計與應用的單片兩級GaAs中功率放大器。CHA5115-QDG通常情況下具備28dBm的輸出功率,在3dB增益壓縮下具備30%的功率附加效率。
WS1A2639-V1-R3K是CREE的一款非對稱多赫蒂功率放大器模塊(PAM),將GaN on SiC技術應用和現代化的匹配和偏置電壓網絡集成在具備高端散熱系統的多層層壓基材上。
QPA9122M是Qorvo的一款寬帶、高增益和高線性度的驅動放大器。QPA9122M在2.6GHz中提供36.5dB增益值,峰值功率為27dBm P3dB。
AMCOM的AM002507XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器,AM002507XD-P3的LO驅動電平范圍在+10dBm至+16dBm。
Q10HA-9500R SMT定向耦合器是表面貼裝器件(SMD),根據推薦的線路板布置進行全面優化調整。
MECA所提供的IS-2.500-M02隔離器,選用SMA母連接器,均值額定功率為20瓦,頻率范圍為2.3-2.7 GHz,隨時適用。提供適合IP 67標準的隔離器。
KR Electronics 2356帶通濾波器通常使用220 Hz到400 Hz的頻率范圍。2356帶通濾波器具備3dB的衰減特性,通常使用SMA封裝。
CHA8618-99F是UMS的頻段6 18GHz的單片GaN高功率放大器,具備適用于迅速轉換的控制接口。CHA8618-99F具備42.5 dBm的輸出功率。
GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦(P3dB)的SiC上GaN高電子遷移率晶體管(HEMT),應用在多標準蜂窩狀功率放大器技術應用。
Qorvo的QPA2225D是款寬帶MMIC驅動放大器,選用Qorvo制造的0.15 um GaN on SiC工藝技術(QGaN15)生產制造。QPA2225D包含28-38GHz,具備>0.4W的飽和輸出功率和>23dB的小信號增益值。
AMCOM的AM002212XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器,AM002212XD-P3的LO驅動電平范圍包括+14dBm至+20dBm。